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面向可見光通信與傳感應用的微小尺寸LED器件研究劉斌*，許非凡，王彬，陶濤，田朋飛，王國斌，徐科，黃凱，張榮南京大學

第三代半導體紫外探測技術與產業化應用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陸 海--南京大學教授，鎵敏光電董事長LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.

南京大學電子科學與工程學院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點混合結構的高品質白光器件》研究報告。報告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點混合結構LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結構量子點填充至微/納米孔中，形成量子點與量子阱側壁緊密耦合結構。該結構利用量子阱與量子點偶極子間耦合增強物理效應，發光激子的復合壽命大

【極智報告】南京大學陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數值模擬

南京大學教授陸海報告中介紹了寬禁帶半導體紫外光電探測器及其應用進展。介紹了基于III族氮化物半導體和SiC的高性能UV光電探測器的材料生長，設計和制造方面的最新工作。

深紫外(DUV)和極深紫外(EUV)探測器在光刻、天文監測以及國防預警等諸多領域具有非常廣闊的應用前景。在適用于DUV和EUV探測的所有

南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細介紹了器件技術與制造工藝 、MMIC設計、MMIC的表征等內容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結構上制備了柵長100nm的“T”型柵結構以及最新成果。 吳少兵一直從事固態微波毫米波器件的研發工作。作為項目負責人，主持開發了基于0.1um G

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設計與制造關鍵點。他表示，未來的工作主要還是針對一千兩百伏到一千七百伏的企業，要實現一個產品化，目前提供可生產性基本滿足產品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進行下一步的研究。再下一步要開發三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時候推出一些產品。