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面向可見光通信與傳感應(yīng)用的微小尺寸LED器件研究劉斌*，許非凡，王彬，陶濤，田朋飛，王國斌，徐科，黃凱，張榮南京大學(xué)

第三代半導(dǎo)體紫外探測(cè)技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陸 海--南京大學(xué)教授，鎵敏光電董事長LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件》研究報(bào)告。報(bào)告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術(shù)，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)填充至微/納米孔中，形成量子點(diǎn)與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)利用量子阱與量子點(diǎn)偶極子間耦合增強(qiáng)物理效應(yīng)，發(fā)光激子的復(fù)合壽命大

【極智報(bào)告】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬

南京大學(xué)教授陸海報(bào)告中介紹了寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測(cè)器及其應(yīng)用進(jìn)展。介紹了基于III族氮化物半導(dǎo)體和SiC的高性能UV光電探測(cè)器的材料生長，設(shè)計(jì)和制造方面的最新工作。

深紫外(DUV)和極深紫外(EUV)探測(cè)器在光刻、天文監(jiān)測(cè)以及國防預(yù)警等諸多領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景。在適用于DUV和EUV探測(cè)的所有

南京電子器件研究所高級(jí)工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報(bào)告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細(xì)介紹了器件技術(shù)與制造工藝 、MMIC設(shè)計(jì)、MMIC的表征等內(nèi)容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級(jí)功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)上制備了柵長100nm的“T”型柵結(jié)構(gòu)以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，主持開發(fā)了基于0.1um G

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵點(diǎn)。他表示，未來的工作主要還是針對(duì)一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實(shí)現(xiàn)一個(gè)產(chǎn)品化，目前提供可生產(chǎn)性基本滿足產(chǎn)品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進(jìn)行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時(shí)候推出一些產(chǎn)品。