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用于病毒滅活的藍寶石生長230nm遠紫外光功率模組的開發(fā)研究Development of 230 nm Far-UVC LED Power Module Grown on c-Sapphire for Human Harmless Virus Inactivation平山秀樹日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMAProfessor ofRIkagaku KENkyusho Institute of Physical and Chemical Research(RIKEN),Japan

氮化鋁基半導體材料及器件的最新進展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎研究實驗室負責人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

太陽能衛(wèi)星及相關波束無線電力傳輸技術的最新研發(fā)進展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大學教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan

Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasersTetsuya TAKEUCHI日本名城大學教授Tetsuya TAKEUCHIProfessor of Meijo University,Japan

基于HfZrO2與b-Ga2O3異質(zhì)結(jié)的高性能自驅(qū)動日盲紫外光探測器P-Type SnO2 Fabrication and Construction of SnO2 Homojunction UV Photodetector黎明鍇湖北大學材料科學與工程學院教授LIMingkaiProfessor of Hubei University

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template三宅秀人日本三重大學教授Hideto MIYAKEProfessor of Graduate School of Engineering, Mie University

MgO（100）上生長柱狀納米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高靈敏度日盲探測器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大學教授HE YunbinProfessor of Hubei University

C4鹽生植物的產(chǎn)量、光利用效率和營養(yǎng)品質(zhì)--馬齒莧在不同光照強度、光周期和日照積分下的室內(nèi)生長Yield, Light Use Efficiency and Nutritional Quality of C4 Halophyte Portulaca oleracea L. Grown Indoors under Different Light Intensities, Photoperiods and Daily Light Integrals何潔新加坡南洋理工大學教授HE JieProfessor of Nanyang Technological University, Singapore

Ga2O3三元合金設計及其日盲紫外光電探測器研究王其樂，瞿秋琳，陳劍，黎明鍇，盧寅梅，何云斌*湖北大學

寬禁帶氧化物半導體日盲紫外探測器及其在大氣臭氧檢測中的應用研究劉可為*，陳星，楊佳霖，韓冬陽，侯其超，申德振中國科學院長春光學精密機械與物理研究所

用于片上通信的日盲波段光電集成芯片何瑞，魏同波*，王軍喜，李晉閩中國科學院半導體研究所

《超寬帶隙氧化鎵材料及其日盲深紫外探測器研究》作者：李萬俊，劉浩文，周樹仁，黃利娟，胡鄭蕊，張紅，熊元強，李泓霖，葉利娟單位：重慶師范大學物理與電子工程學院，光電功能材料重慶市重點實驗室

《極高響應度與增益帶寬積的p型氧化鎵日盲探測器》作者：吳征遠，蔣卓汛，馬聰聰，張浩，葉建東，張國旗，康俊勇，張統(tǒng)一，方志來單位：復旦大學信息科學與工程學院、工程與應用技術研究院、南京大學電子科學與工程學院、廈門大學物理科學與技術學院上海大學材料基因組工程研究院

《氧化鎵基日盲紫外光電探測器的制備及特性研究》作者：程其進，徐翔宇, 陳文山，龔彧亨，陳文澄，張洪良單位：廈門大學電子科學與技術學院，廈門大學化學與化學學院

日本名城大學副教授Motoaki IWAYA 帶來了關于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報告。

日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導體的生長和特性的主題報告。郭其新主要從事半導體材料制備與表征，同步輻射光應用研究。報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的

同步輻射X射線衍射法實現(xiàn)氮化鎵襯底及同質(zhì)外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長，東京工業(yè)大學兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平分享了《常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術報告。敖金平博士1989年畢

極智報告|日本理化所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報告|日本大阪大學高悅：銅顆粒燒結(jié)貼片連接SiC-MOSFET的長期可靠性研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。