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日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告，分享了其最新研究成果。

該視頻為：日本大阪大學助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應力連接技術》報告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結微孔和鎢(W)薄膜的夾層結構。芯片粘連層被設計為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實現低應力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強度高達60Mpa，1000次熱循環（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結技術最有希望應用于高溫工作的低應力的SiC功率模塊。 第三代半導體材料主要包

日本千葉大學榮譽教授矢口博久，主題為“色彩保真度指數”。他表示，今年4月全新的CIE2017色彩保真度指數是更精確的科學使用版本，在CIE224中發布。既然色彩保真度指數目前還不能替代現有的Ra，但是CIE2017的色彩保真度指數也是可以說是CIE進展過程......

日本大阪大學教授菅沼克昭分享了寬禁帶功率器件銀燒結連接的可靠性及其新進展。