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C4鹽生植物的產量、光利用效率和營養品質--馬齒莧在不同光照強度、光周期和日照積分下的室內生長Yield, Light Use Efficiency and Nutritional Quality of C4 Halophyte Portulaca oleracea L. Grown Indoors under Different Light Intensities, Photoperiods and Daily Light Integrals何潔新加坡南洋理工大學教授HE JieProfessor of Nanyang Technological University, Singapore

照強度與白色LED色溫對丹參種苗生長的影響Effects of lighting intensity and color temperature of white LED on growth of Salvia miltiorrhiza transplants賀冬仙中國農業大學水利與土木工程學院教授HE DongxianProfessor of College of Water Resources and Civil Engineering, China Agricultural University

常見的氮化鎵器件為在異質襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關器件性能的提升及其穩定性。采用氮化鎵單晶襯底實現同質外延是提高氮化鎵外延層晶體質量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生

兩步法在藍寶石襯底上生長高質量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學中國電子科技集團公司第四十六研究所

大尺寸高質量氧化鎵單晶生長及性能研究穆文祥，李陽，賈志泰*，陶緒堂山東大學

MOCVD生長高質量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所

銻化物超晶格紅外探測器的MOCVD生長技術研究吳東海中國科學院半導體研究所

《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科 研究員 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

大功率 GaN 藍綠激光器芯片設計、生長和制作 林科闖 總經理 三安光電股份有限公司

《升華法生長相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學微電子學院

《基于MPCVD法異質外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點實驗室，南京大學電子科學與工程學院，廈門大學

《氧化鎵單晶生長與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學晶體材料國家重點實驗室

《10BN中子探測材料生長與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術學院，東華理工大學

《氧化鎵晶體的生長、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室，浙江大學杭州國際科創中心

《ZnO多元合金薄膜外延生長、帶隙調控及其紫外光電探測器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學材料科學與工程學院

《PVT法AlN單晶生長機理研究》作者：金雷，武紅磊，程紅娟，覃佐燕單位：深圳大學，中國電子科技集團公司第四十六研究所

《半極性AlN材料的HVPE生長研究》作者：張紀才，孫茂松，李旭，劉婷單位：北京化工大學數理學院，廣西大學物理科學與工程技術學院

《PVT法同質外延生長高質量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術（杭州）有限公司

《面向長波長LED應用的石墨烯/SiC襯底上應變弛豫GaN薄膜的外延生長研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強，張寶林，張源濤單位：吉林大學電子科學與工程學院

《介穩態氧化鎵薄膜的外延生長與異質集成》作者：張文瑞單位：中國科學院寧波材料技術與工程研究所