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實現超小型全氮化微型LED的納米級材料科學Nanometer-scale Materials Science Enabling Ultra-small All-Nitride Micro-LEDsLarsSAMUELSON瑞典皇家科學院及工程院兩院院士、中國科學院外籍院士、瑞典德隆大學教授、南方科技大學講席教授LarsSamuelsonMember of Royal Swedish Academy of Engineering, Member of Royal Swedish Academy of Sciences，Foreign Member of the Chinese Academy of Sciences, Professor of Lund Univer

基于納米壓印全生態產業平臺的微納光學器件制造Manufacturing of Micro and Nano Optical Devices Based on Nanoimprint Eco-industrial Platform羅剛材料科學姑蘇實驗室研究員、蘇州新維度微納科技有限公司創始人LUO GangProfessor of Gusu Lab, Founderof NDnano

硅襯底GaN基光電材料外延生長Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孫錢中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences

氨熱法氮化鎵單晶生長研究進展及面臨的挑戰Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國強中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences

功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences

AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛國中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences

用于高像素密度顯示器的高效率Micro-LED和納米LEDHigh efficiency micro-LEDs and nano-LEDs for displays with high pixel density劉先河西安電子科技大學廣州研究院教授LIU XianheProfessor of Guangzhou Institute of Technology of Xidian University

Micro-LED用GaN納米線上生長的非極性GaInN/GaN多量子殼的系統研究Systematic investigation of nonpolar GaInN/GaN multiple-quantum-shells grown on GaN nanowires for Micro-LEDs盧衛芳廈門大學物理科學與技術學院物理學系，副教授LU WeifangAssociate Professor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University

氮化鎵基激光器和超輻射管研究進展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes劉建平中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件研究部 研究員LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences

室溫紫外GaN微盤激光器Room-Temperature Ultraviolet GaN Microdisk Lasers司志偉中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所SI ZhiweiSuzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS

MgO（100）上生長柱狀納米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高靈敏度日盲探測器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大學教授HE YunbinProfessor of Hubei University

利用泵浦-探測瞬態反射顯微技術測定立方砷化硼的高雙極性遷移率High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy劉新風國家納米科學中心研究員,中科院納米標準與檢測重點實驗室副主任LIU XinfengProfessor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences

鈣鈦礦LED晶體結構穩定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes謝躍民蘇州大學功能納米與軟物質研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University

寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結構，因而表現出顯著的壓電特性，長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學和壓電光電子學的基礎及應用研究取得了快速地發展。多種功能材料中的壓電電子學和壓電光電子學的基本效應得到了系統深入地研究，相關的理論體系得以建立，諸多壓電電子學和壓電光電子學器件也被設計研發。會上，王中林院士帶來了壓電學理論與研究成果的分享，報告結合具體的數據

常見的氮化鎵器件為在異質襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關器件性能的提升及其穩定性。采用氮化鎵單晶襯底實現同質外延是提高氮化鎵外延層晶體質量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生

基于單根Ga2O3納米線的深紫外光電探測性能馬淑芳*，劉松，韓斌，尉國棟，董浩琰，牛艷萍，郝曉東，許并社陜西科技大學

硅基GaN電子器件研究進展孫錢中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

1200V級硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書萌，劉建勛，孫秀建，孫錢*，楊輝中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛國*中國科學院北京納米能源與系統研究所

《一維ZnGa2O4納米線網薄膜材料橫向制備及其光電響應研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強單位：中國科學院重慶綠色智能技術研究院