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《基于寬禁帶鋁鎵氮納米線的新型紫外光電化學(xué)光探測(cè)器研究進(jìn)展》作者：汪丹浩，孫海定，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院

《半導(dǎo)體核殼納米線中光學(xué)聲子的截面形狀調(diào)制》作者：薛忠賢，屈媛，班士良單位：內(nèi)蒙古大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院劉斌教授帶來(lái)了《氮化鎵微/納米LED與量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件》研究報(bào)告。報(bào)告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術(shù)，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)填充至微/納米孔中，形成量子點(diǎn)與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)利用量子阱與量子點(diǎn)偶極子間耦合增強(qiáng)物理效應(yīng)，發(fā)光激子的復(fù)合壽命大

挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授、挪威科學(xué)技術(shù)院院士、挪威Crayonano AS創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Helge WEMAN帶來(lái)以石墨烯為基底和透明電極的AlG

挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授，挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN帶來(lái)了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題

鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz SHARIF介紹了采用n-AlxGa1-xN低波導(dǎo)層連續(xù)分級(jí)生長(zhǎng)的深紫外納米線激光二極管光學(xué)約束優(yōu)化的研究成果。研

報(bào)告嘉賓：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 研究員 黃勇 主題報(bào)告：《銻化物半導(dǎo)體材料及器件》

瑞士Microdiamant研發(fā)部門負(fù)責(zé)人Christian JENTGENS帶來(lái)了題為多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應(yīng)用及其關(guān)鍵工藝技術(shù)的主題報(bào)告，報(bào)告表示，碳化硅業(yè)務(wù)的主要目標(biāo)是提高效率，并介紹了SiC晶圓加工的個(gè)性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)劣以及關(guān)鍵的流程步驟等內(nèi)容。

瑞典隆德大學(xué)教授、瑞典皇家科學(xué)院院士、Glo AB創(chuàng)始人Lars SAMUELSON帶來(lái)了題為針對(duì)MicroLED和自形成光子結(jié)構(gòu)的納米線應(yīng)用的精彩

河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶帶來(lái)則介紹了量子點(diǎn)用于固態(tài)照明的量子點(diǎn)硅脂納米復(fù)合材料。更多精彩報(bào)告，請(qǐng)關(guān)注下載極智頭條APP！

中科院半導(dǎo)體研究所的研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹恕暗锛{米線可控生長(zhǎng)與器件應(yīng)用展望”主題報(bào)告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢(shì)技術(shù)上來(lái)看，一個(gè)是性能的提升，可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮，從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個(gè)芯片發(fā)展到這個(gè)階段，將來(lái)的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應(yīng)用空間，從應(yīng)用的角度可以提出來(lái)對(duì)芯片的要求，我們可以根據(jù)應(yīng)用設(shè)計(jì)出來(lái)全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍(lán)光與綠光激光二極管的發(fā)展”報(bào)告時(shí)表示，對(duì)GaN基藍(lán)色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經(jīng)引起人們的廣泛關(guān)注，在過(guò)去的幾年里，為了滿足激光顯示應(yīng)用的需求。我們提高了發(fā)光均勻性和減少基藍(lán)光LD結(jié)構(gòu)面自支撐GaN襯底上生長(zhǎng)GaN的內(nèi)部損失。同質(zhì)外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過(guò)工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了綠色激光器結(jié)構(gòu)1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續(xù)波作用下，綠光LD的輸出功率為

耶魯大學(xué)研究科學(xué)家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報(bào)告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過(guò)4～5對(duì)的DBR層就獲得了高達(dá)99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學(xué)限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報(bào)道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開(kāi)啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時(shí)，我們也采用納米孔狀的GaN和無(wú)孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了光激射的VCSE

北京大學(xué)教授陳志忠介紹了基于納米圖案藍(lán)寶石襯底通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)藍(lán)綠色LED。陳志忠表示，GaN基青光LED通過(guò)低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長(zhǎng)得到。首先在成核層上進(jìn)行兩步法高溫生長(zhǎng)GaN模板，接著在模板上生長(zhǎng)青光LED，波長(zhǎng)為490nm。通......請(qǐng)您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復(fù)觀看！

美國(guó)密歇根大學(xué)教授Pei-Cheng KU 分享了照明和顯示應(yīng)用GaN納米結(jié)構(gòu)的局部應(yīng)變工程技術(shù)。Pei-Cheng Ku自2012年起，成為美國(guó)密歇根大學(xué)電機(jī)工程與計(jì)算機(jī)系副教授。現(xiàn)在KU教授的研究專注在“節(jié)能光電”，具體包括氮化鎵光電器件、納米光電器......請(qǐng)您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復(fù)觀看！