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《石墨烯驅動的應力工程實現用于深紫外LED的無應變AlN薄膜的高質量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院

加拿大滑鐵盧大學William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質集成實現Micro-LED》研究報告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發射二極管(microleds)的新型顯示技術有望使下一代發射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現有的基于有機光發射二極管(OLEDs)的顯示技術相比。除了在OLED顯示器上的這些改進之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

復旦大學副教授張樹宇在《135%NTSC色域的CsPbX3鈣鈦礦量子點薄膜》主題報告中表示，全無機CsPbX3 (X=I, Br, Cl)鈣鈦礦量子點(QDs)由于其優異的光學性能，包括極高的光致發光量子產率、狹窄的譜線寬度和廣泛的可調發射，很可能成為下一代量子點顯示技術。在制造過程中避免高溫和惰性氣氛的新方法是室溫(RT)再結晶，為低成本大批量生產CsPbX3 QDs提供了一條很有前途的途徑。然而，RT合成的QDs在工作條件下的穩定性性能與傳統QDs不具

北京北方華創微電子裝備有限公司產品總監董博宇帶來了《磁控濺射制備的ITO薄膜在LED領域中的開發及應用》主題報告。

深圳大道半導體有限公司總經理兼產品總監李剛帶來了薄膜倒裝芯片及其芯片級封裝與應用的報告，分享了一系列制備薄膜倒裝芯片的關

廈門大學副教授林岳分享了聚合物薄膜中MAPbBr3量子點降解的研究成果，合成了聚合物包覆MAPbBr3量子點（平均直徑3nm），通過研究

中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態以及研究成果。

西安交通大學副教授李強做了題為射頻濺射技術制備h-BN薄膜的制作與應用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質，以及hBN膜的應用，包括電阻開關行為等內容。 報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現高反射。首先在Ag / hBN / Al結構中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。

鄭州大學教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結晶度、微觀結構和鍵合結構。h-BN在AlN上的生長模型等研究內容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續和聚結的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。

同步輻射X射線衍射法實現氮化鎵襯底及同質外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長，東京工業大學兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川分享了關于Ga2O3薄膜的光學和結構特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導體研發已二三十年, 至今編輯出版了半導體及顯微結構，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態照明及LED 領域的11-本英文專著，