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西安電子科技大學(xué)王鵬
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西安電子科技大學(xué)王鵬
雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優(yōu)化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學(xué)Wang PengfeiXidian University
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guansheng2023-05-22 15:22
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體
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山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體
電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
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guansheng2023-05-22 15:20
澳大利亞麥考瑞大學(xué)教
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澳大利亞麥考瑞大學(xué)教
Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact modelSourabh KHANDELWAL澳大利亞麥考瑞大學(xué)教授Sourabh KHANDELWALProfessor of Macquarie University, Australia
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guansheng2023-05-22 15:14
中科院寧波材料所戴貽
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中科院寧波材料所戴貽
無等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設(shè)計與優(yōu)化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴貽鈞中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 15:13
中科院蘇州納米所助理
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中科院蘇州納米所助理
功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 15:12
中國科學(xué)院北京納米能
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中國科學(xué)院北京納米能
AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調(diào)制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛(wèi)國中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 15:02
電子科技大學(xué)博士陳匡
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電子科技大學(xué)博士陳匡
p-GaN Gate HEMT器件閾值穩(wěn)定性及其機理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陳匡黎電子科技大學(xué)博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China
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guansheng2023-05-22 15:02
加拿大滑鐵盧大學(xué)副教
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加拿大滑鐵盧大學(xué)副教
RecentProgressoftheMITVirtual-SourceGaNHEMT(MVSG)CompactModelLan WEI加拿大滑鐵盧大學(xué)副教授Lan WEIAssociate Professor of University of Waterloo, Canada
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guansheng2023-05-22 14:59
芯干線市場總監(jiān)孔令濤
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芯干線市場總監(jiān)孔令濤
GaN HEMT與SIC MOSFET在戶用儲能PCS方向應(yīng)用優(yōu)勢Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET https://fanyi.baidu.com/?aldtype=85孔令濤--南京芯干線科技有限公司市場總監(jiān)
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guansheng2023-05-22 13:54
意大利帕多瓦大學(xué)Enri
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意大利帕多瓦大學(xué)Enri
用于高效能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的GaN HEMT的深能級效應(yīng)和可靠性Deep level effects and reliability of GaN HEMTs for high efficiency energy conversion applicationsEnrico Zanoni意大利帕多瓦大學(xué)信息工程系教授Enrico ZanoniProfessor of Dipartimento di Ingegneria dellInformazioneUniversit di Padova
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guansheng2023-05-19 08:57
中電科13所高楠：MOCV
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中電科13所高楠：MOCV
MOCVD生長高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所
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guansheng2022-09-01 13:45
中科院寧波材料所郭煒
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中科院寧波材料所郭煒
基于極化調(diào)控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞，郭煒*，陳荔，李曉航，葉繼春中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
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guansheng2022-09-01 12:27
中科院北京納米所胡衛(wèi)
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中科院北京納米所胡衛(wèi)
壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛(wèi)國*中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所
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guansheng2022-09-01 12:22
南京大學(xué)王海萍:基于
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南京大學(xué)王海萍:基于
基于增強型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍，游海帆，陳敦軍*，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 12:16
黃火林：GaN基增強型H
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黃火林：GaN基增強型H
《GaN基增強型HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)》作者：黃火林單位：大連理工大學(xué)光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院
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limit2022-01-10 11:07
Hui Guo: NiO/AlGaN i
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Hui Guo: NiO/AlGaN i
NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMTsAuthor: Hui Guo, Hehe Gong, Xinxin Yu, Rui Wang, Qing Cai, Danfeng Pan, Jiandong Ye, Bin Liu, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng單位/Institute: 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 11:53
吳千樹：肖特基p型柵
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吳千樹：肖特基p型柵
《肖特基p型柵結(jié)構(gòu)GaN基HEMTs中Vth的影響機理》作者：吳千樹，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠，劉揚單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院，工業(yè)和信息化部電子第五研究所
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limit2022-01-07 11:51
劉婷：Suppression of
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劉婷：Suppression of
Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學(xué)未來材料系統(tǒng)研究所，名古屋大學(xué)電子學(xué)系，北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院
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limit2022-01-05 16:56
化夢媛：常關(guān)型 GaN P
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化夢媛：常關(guān)型 GaN P
《常關(guān)型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機理及閾值電壓穩(wěn)定性》作者：化夢媛，李玲玲，王成財，姜作衡單位：南方科技大學(xué)
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limit2022-01-05 16:54
【視頻報告 2018】中
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【視頻報告 2018】中
中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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limit2021-04-29 12:20