碳化硅（SiC）被認(rèn)為是最重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度大，擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性質(zhì)。基于SiC材料制備的半導(dǎo)體器件不僅能在更高的溫度下穩(wěn)定運行，而且在高電壓、高頻率狀態(tài)下也具有更高的可靠性。近20年來，隨著材料生長技術(shù)、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展 SiC材料及器件在雷達(dá)、5G通訊、電動汽車等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用，對國防工業(yè)發(fā)展、國家信息安全、國民經(jīng)濟(jì)建設(shè)均產(chǎn)生了極其重要的影響。

 

今年，每兩年一屆的全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議（WBSC）迎來了第四屆將在美麗的鷺島廈門舉辦。由中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會、中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同主辦，廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合承辦。
 

屆時，大會強(qiáng)大的專家團(tuán)隊將與來自國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者、科研人員、企業(yè)代表等，將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛探討，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用的深度交流與合作。本次會議將對我國寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。

 

據(jù)了解，本屆大會以“芯動力·新征程--寬禁帶半導(dǎo)體的機(jī)遇與挑戰(zhàn)”為主題，由廈門大學(xué)校長張榮教授與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟吳玲理事長共同擔(dān)任大會主席。同時，邀請了強(qiáng)大的顧問委員會、程序委員會、組織委員會專家團(tuán)。

 

據(jù)組委會最新消息，山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授將出席大會并帶來題為“碳化硅單晶襯底的研究進(jìn)展及發(fā)展趨勢”的主題報告。報告以SiC單晶襯底為主要研究對象，簡要介紹其基本性質(zhì)、研發(fā)歷史和制備方法，并結(jié)合晶體材料國家重點實驗室的SiC襯底相關(guān)研究工作概述研究、產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和面臨挑戰(zhàn)，并對國產(chǎn)SiC單晶襯底的發(fā)展進(jìn)行展望。

 

徐現(xiàn)剛，師從于蔣民華院士，主要從事半導(dǎo)體材料制備及其應(yīng)用研究的工作。 自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導(dǎo)體薄膜材料的生長及器件應(yīng)用工作，制備出多種量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，應(yīng)用到多種半導(dǎo)體器件如：半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管等。積極響應(yīng)國家號召，踐行產(chǎn)學(xué)研結(jié)合，把科技創(chuàng)新的成果產(chǎn)業(yè)化；自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC單晶的生長與襯底加工技術(shù)，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發(fā)光二極管。先后承擔(dān)了多項863、973、國家重大專項等課題。 獲得多項表彰和獎勵，至今已發(fā)表超過150篇相關(guān)論文及會議報告。

 

更多詳情見大會官網(wǎng)：www.wbsc.org.cn