半導體產業(yè)網(wǎng)訊：近日，第37屆功率半導體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）舉辦。本網(wǎng)特派記者參加ISPSD2025，并在現(xiàn)場也遇見了聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友，同時也了解了當前最新技術&新方向，以下簡單回顧一下熱點走向！
圖：ISPSD2025，日本·熊本市
圖：ISPSD 2025開幕大會主旨報告
ISPSD被認為是功率半導體器件和集成電路領域的奧林匹克會議，一直以來都是國內外產業(yè)界和學術界爭相發(fā)表重要成果的舞臺。ISPSD在歐洲、北美、中國、日本及其他地區(qū)輪流舉辦，中國大陸曾在2019年由浙江大學和CASA主辦，中國香港曾由港科大于 2015和2023年在香港主辦。
圖：ISPSD 2019開幕大會，中國·上海
圖：ISPSD2019現(xiàn)場照（記者ISPSD2025現(xiàn)場見到了聯(lián)盟及IFWS&SSLCHINA諸多老朋友）
作為IEEE旗下的功率半導體旗艦會議，ISPSD涵蓋了功率半導體器件、功率集成電路、功率集成、工藝、封裝和應用等功率半導體領域的所有方面，是功率器件領域最具影響力和規(guī)模最大的頂級國際學術會議，也是功率半導體器件和功率集成電路領域技術討論的頂會。與各位同仁分享幾點現(xiàn)場所見所聞。
圖：ISPSD 2025 日程安排
隨著AI應用爆發(fā)，氮化鎵研究成果百花齊放，現(xiàn)場討論度更高
圖：ISPSD 2025 Short Course現(xiàn)場
開幕大會前的Short Course中，一共有7個，分別涵蓋碳化硅襯底材料、氮化鎵功率器件、硅功率器件、功率IC 技術、EDA設計，可靠性與監(jiān)測、以及先進封裝 等方向。
其中，碳化硅襯底材料由中國碳化硅上市公司山東天岳CTO 高超博士主講《200mm SiC襯底的開發(fā)和300mmSiC的機會與挑戰(zhàn)》。詳細分享了大尺寸碳化硅襯底的技術發(fā)展，闡述200毫米碳化硅襯底在批量生產中的進展以及材料和器件方面的技術重點，對300 mmSiC襯底的開發(fā)進展，并討論該行業(yè)300mm面臨的挑戰(zhàn)和機遇。
圖：ISPSD 2025開幕大會介紹
圖：Umesh K. Mishra帶來大會主旨報告
在開幕大會主旨報告環(huán)節(jié)，一共兩個大會報告：第一個是來自UCSB教授、Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. Mishra帶來大會主旨報告。Umesh教授也是我們老朋友，曾連續(xù)多年來中國參加IFWS&SSLCHINA。
圖：本網(wǎng)記者現(xiàn)場遇見了諸多聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA程序委員會專家和特邀嘉賓，并現(xiàn)場邀請參加2025年11月12-14日在廈門召開的IFWS & SSLCHINA 2025！
Umesh教授他在報告重回顧GaN器件在電力電子應用中的發(fā)展歷史，并對未來進行預測。他認為，隨著市場的不斷發(fā)展，GaN對于許多電力電子應用來說是一個非常令人興奮的解決方案，在許多方面，它可能比硅和碳化硅更重要。主要原因仍然是其優(yōu)越的材料性能，最重要的是AlGaN/GaN異質結提供的高遷移率。水平GaN功率器件很有吸引力，因為保持電壓的整個區(qū)域是一個高電子遷移率區(qū)域，它獨特地能夠提供雙向電壓關斷，這在許多應用中都很重要，包括太陽能逆變器、充電器和電機驅動器。水平器件也可以與其他器件集成智能功能。水平器件的缺點是芯片尺寸較大，需要場板來管理場，這些問題可以通過超級結技術來緩解，目前多個研究機構正在研究這些問題。另一方面，垂直GaN器件對于小芯片尺寸和高電壓額定值具有吸引力，但電子遷移率明顯較低，需要低位錯密度塊體襯底才能可靠運行，這可能會增加成本。
圖：Junichi KITANO帶來大會主旨報告
另一個大會報告是：由日本中央鐵路公司的Junichi KITANO帶來的“日本中央新干線超導磁浮列車和新型功率半導體電力轉換”的報告。報告介紹，作為東海道新干線的后繼者，目前正在品川至名古屋之間進行建設。由于安裝在車輛上的超導磁鐵與地面上的懸浮引導線圈之間的動態(tài)電磁感應，超導磁懸浮力可以在沒有控制的情況下懸浮10厘米，并在U型混凝土導軌內以500公里/小時的超高速度行駛。超導磁懸浮懸浮和行駛的關鍵是超導磁鐵的強磁場和直線電機技術。半導體功率轉換是超導磁懸浮列車的關鍵技術，自大容量晶閘管出現(xiàn)以來，它已經與新半導體功率器件如光觸發(fā)晶閘管、GTO、IGBT、GCT和IEGT一起發(fā)展。此外，動態(tài)WPT用于向懸浮而不接觸的車輛提供約1兆瓦的輔助電力，這里高頻半導體功率轉換技術也很重要。碳化硅半導體的出現(xiàn)使得構建高效系統(tǒng)成為可能。
圖：ISPSD2025：Charitat Young Researcher Award
圖：ISPSD2025：The Best Poster Award
會議期間，今年ISPSD2025最佳青年研究員以及最佳POSTER都頒發(fā)給了氮化鎵。麻省理工學院團隊憑借“直接光觸發(fā)全垂直氮化鎵功率鰭式場效應晶體管”的首次演示，獲得了最佳青年研究員獎。中國科大楊樹教授團隊的“低導通電阻和小溫度依賴性的垂直氮化鎵（GaN-on-GaN）溝槽型 MIS 場效應晶體管”獲得了最佳POSTER獎。
圖：中國科大楊樹教授POSTER現(xiàn)場講解
碳化硅、氧化鎵、氮化鎵方向投稿數(shù)量最高，中國101篇居榜首
圖：ISPSD歷屆征文投稿數(shù)量統(tǒng)計，2025年350篇創(chuàng)新紀錄
ISPSD 2025共計收到稿件350篇，并創(chuàng)ISPSD征文數(shù)量新紀錄。今年ISPSD實際錄用176篇，錄用率為50.3%。
圖：ISPSD2025投稿論文各方向錄取統(tǒng)計
按照論文征集方向看，碳化硅（SiC）\氧化鎵（Ga2O3）方向和氮化鎵（GaN）方向投稿數(shù)量都超過100篇，是投稿數(shù)最高的兩個方向；功率集成設計（ICD）方向投稿數(shù)量增長超過50%；低壓器件（LVT）方向、高壓器件（HV）方向、模組與封裝（PK）方向的投稿數(shù)量均有所下滑。但是6個方向的論文錄用比例均在50%以上。并且，在176篇錄用論文中，口頭報告（Oral）有58篇，海報報告（Poster）118篇。中國內地錄用的84篇中，有16篇口頭報告，68篇海報報告。
據(jù)TPC成員透露消息，錄用的176篇來自12個國家，按國家入選數(shù)量統(tǒng)計排名（按第一作者所在國家統(tǒng)計），中國是入選論文數(shù)量最多的國家，共錄用101篇（中國內地84篇，中國香港7篇，中國臺灣10篇），日本錄用34篇，德國錄用10篇，美國錄用7篇，韓國、瑞士和西班牙各錄用5篇，法國錄用4篇，加拿大錄用2篇，奧地利、新加坡和英國各錄用1篇。
來源：芯思想
芯思想統(tǒng)計表顯示，ISPSD 2025中國內地投稿占全球總比重為48%。其中在氮化鎵（GaN 66%）和氧化鎵（GaO 61%）方向具備優(yōu)勢；在碳化硅（SiC 40%）、功率集成設計（ICD 36%）、低壓器件（LVT 50%）方向研究上實力不俗；在封裝（PK 33%）研究方面呈現(xiàn)逐年上升趨勢，但是在高壓器件（HV 20%）方向研究上稍顯不足，有待進一步加強。
來源：芯思想
根據(jù)芯思想統(tǒng)計表可清楚看出，ISPSD2025共有74個機構有論文入選，按第一作者所在機構統(tǒng)計，學術界方面，前五位都是中國內地高校，電子科技大學以17篇高居榜首；中國科學技術大學以11篇排第二；復旦大學和浙江大學以7篇并列第三；東南大學6篇排名第五。工業(yè)界方面，東芝以6篇排名第一，三菱和英飛凌各以5篇并列第二，瑞薩和意法半導體以3篇并列第四。
圖：ISPSD 2025 POSTER展示交流
最后，現(xiàn)場公布了ISPSD 2026 將于5月24-28日在美國拉斯維加斯舉辦，General Chair: Alpha & Omega Semiconductor 的Dr. David Sheridan 擔任大會主席。英飛凌的 Dr. Sameh Khalil 擔任技術程序委員會主席。
圖：ISPSD名人堂大咖們與日本太鼓達人互動
瞻芯電子與浙大聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果！
科研成果| 黃偉教授課題組的五項研究成果錄用于ISPSD 2025
突破行業(yè)盲區(qū)！理想自研SiC芯片團隊在國際頂會發(fā)表重要成果
下一站，IFWS&SSLCHINA 2025，中國廈門見！
作為年度國際第三代半導體產業(yè)盛會——“第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2025）”將于2025年11月12-14日在廈門召開。本屆論壇由廈門大學、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）共同主辦，惠新（廈門）科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
國際第三代半導體論壇(IFWS)是由中國地區(qū)舉辦的、具備較強影響力的第三代半導體領域年度盛會，是引領全球第三代半導體新興產業(yè)發(fā)展，促進相關產業(yè)、技術、人才、資金、政策合力發(fā)展的全球性、全產業(yè)鏈合作的高端平臺和高層次綜合性論壇。中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)是半導體照明領域最具規(guī)模、參與度最高的專業(yè)年度盛會。論壇聚焦前沿趨勢與熱點領域，內容全面覆蓋原材料、工藝裝備、技術、產品及應用領域，是國內歷史最悠久、最具權威的LED行業(yè)論壇。IFWS&SSLCHINA兩大論壇強強聯(lián)合，作為經典行業(yè)年度國際盛會，迄今已覆蓋90多個國家及地區(qū)，演講嘉賓超過3700位，舉辦了457場峰會，專業(yè)觀眾超過46200位，提交學術論文5810篇，合作伙伴1915家。
IFWS&SSLCHINA2024現(xiàn)場回顧
本屆會議將全新升級，除了數(shù)十場前沿主題論壇，2025先進半導體技術應用創(chuàng)新展(CASTAS2025) 、青年論壇、產業(yè)鏈供需對接會、校友會、強芯沙龍·會客廳、芯友薈專訪、City walk等豐富多彩的系列活動。同時，還將啟動"2025年度中國第三代半導體技術和產業(yè)十大進展"征集與評選，瞄準第三代半導體領域前沿技術研究和標志性成果，最終結果令人期待。
論壇長期與IEEE合作，投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore電子圖書館發(fā)表，優(yōu)秀論壇還將推選至優(yōu)秀期刊發(fā)表，其中IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。歡迎行業(yè)專家學者業(yè)界同仁積極投稿。
值此，論壇組委會誠邀海內外第三代半導體產、學、研、用、資不同環(huán)節(jié)的業(yè)界同仁，11月相聚美麗溫暖的鷺島廈門，共探產業(yè)發(fā)展“芯”機會，共創(chuàng)產業(yè)發(fā)展新未來。——定檔11月！年度國際盛會IFWS & SSLCHINA 2025 廈門見
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備注：上述ISPSD論文數(shù)據(jù)等信息引用自“芯思想”，在此表示感謝。隨手整理，僅供參考！
