近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。
期間， “IFWS 2021：碳化硅功率器件與封裝應(yīng)用論壇“成功召開。會議由蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、德國愛思強股份有限公司協(xié)辦支持。
▲復(fù)旦大學(xué)張園覽
會上，復(fù)旦大學(xué)張園覽分享了“基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管的研究”主題報告。
報告中介紹，在諸如結(jié)勢壘肖特基(JBS)二極管等功率器件應(yīng)用中，盡可能地降低由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗和關(guān)態(tài)損耗組成的總功耗至關(guān)重要。為進一步改善器件的綜合性能，該研究了一種新的P區(qū)反序摻雜策略(RPS)在碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管的應(yīng)用，并提出了一個新的優(yōu)值(FOM, VF×IR×QC)來綜合評估4H-SiC JBS二極管表現(xiàn)，基于這種新穎的RPS策略，JBS二極管在室溫下實現(xiàn)了VF (1.58 V @20 A)、IR (0.4 μA @1200 V)和QC (94.3 nC @1200 V,1 MHz)的高效率，定義的FOM指數(shù)僅為57.2。
更重要的是，我們制備的碳化硅肖特基二極管即使在175 ℃的工作溫度下也能保持非常高的器件效率，而不會降低所有這些重要特性。
報告提出的P區(qū)反序摻雜策略和FOM優(yōu)值為進一步發(fā)展SiC功率器件提供了一種新型器件結(jié)構(gòu)設(shè)計思路和有效的評估方法。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解！）
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