半導體產業網獲悉：近日，廈門大學成功實現了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同質外延生長，成為國內首家擁有并實現該項技術的機構。
作為第三代半導體的主要代表之一，碳化硅與硅相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率，其在高溫、高壓、高頻領域表現出色。基于碳化硅的電力電子器件已廣泛地應用于航空航天、新能源汽車、軌道交通、光伏發電、智能電網等領域。當前主流的碳化硅單晶與外延生長還處于6英寸階段，擴大尺寸成為產業鏈降本增效的主要路徑，然而在邁向8英寸過程中還存在諸多技術難題。
廈門大學科研團隊負責人表示，通過克服了8英寸襯底應力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實現了基于國產襯底的碳化硅同質外延生長。外延層厚度為12 um，厚度不均勻性為2.3 %；摻雜濃度為8.4×10¹? cmˉ³，摻雜濃度不均勻性＜7.5 %；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜ 0.5 cmˉ²。
圖：廈門大學供圖
廈門大學長期致力于III族氮化物、碳化硅等寬禁帶半導體的研究，多年來不斷促進我國寬禁帶半導體的發展，為產業培養了大批的創新人才。上述科研團隊負責人表示，本次突破，標志著我國已掌握8英寸碳化硅外延生長的相關技術。該技術的實現，是廈門大學與瀚天天成電子科技(廈門)有限公司等單位產學研合作的成果，將為我國碳化硅產業的發展注入新的動力，同時推動新能源等相關領域的發展。
