10月25日，企查查顯示，江西精發半導體科技有限公司的新一代半導體材料氮化鎵外襯底及晶圓再生項目已完成備案。據了解，該項目總投資2億元，總建筑面積約4500平方米，預計年產6000片氮化鎵外襯底、60萬片8寸再生硅晶圓和60萬片12寸再生硅晶圓。項目計劃今年11月開工，2025年2月完工。江西精發半導體科技有限公司于2023年成立，投資方為由精發半導體（江蘇）有限公司和江西恒鑫半導體科技有限公司，主營項目包括集成電路制造、半導體器件專用設備制造、電子元器件制造等。