SiC外延生長是SiC產業(yè)鏈中的關鍵一步。4H-SiC(碳化硅)半導體是制作高溫,高頻,大功率電力電子器件的理想電子材料,近20年來材料生長技術水平不斷提升,材料品質逐步提高。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間在“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，中國科學院半導體所助理研究員閆果果做了“6英寸碳化硅外延生長及深能級缺陷研究”的主題報告，分享了6英寸4H-SiC的外延生長，以及深能級晶圓的研究進展。

4H-SiC雙極器件對外延層的要求涉及厚外延層和低摻雜濃度實現(xiàn)高阻斷電壓，以及用于低正向電壓降的高載流子壽命。報告中分享了6μm 4H-SiC外延層、10-11μm 4H-SiC外延層、4H-SiC外延層的批量生產，DLTS樣品和設備，4H-SiC材料中的深能級，晶片中深能級的分布，缺陷濃度和載流子壽命，晶片中深能級的控制，退火對深層的影響，碳離子注入退火的影響等研究進展。

報告指出，對于6英寸4H-SiC的外延生長方面，用自制的熱壁LPCVD反應器對直徑為150mm的4H-SiC Si面襯底進行了均勻外延生長。已經實現(xiàn)了4H-SiC外延層的生長，厚度和摻雜均勻性分別為~0.5%和~3.5%。深能級晶圓研究方面，4H-SiC外延片的Z1/2缺陷分布均勻，缺陷密度與載流子壽命密切相關。深能級瞬態(tài)光譜（DLTS）是表征深能級的一種有效方法。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）