3月27日，浙江省嘉興國家高新區（高照街道）一季度重大項目集中簽約儀式舉行。活動現場，2個總投資超50億元的瓷新半導體材料總部項目、摩珂達SiC功率器件及電子產品制造項目完成簽約。

值得一提的是，不久前，嘉興國家高新區還簽約另一個SiC項目。今年2月消息，嘉興國家高新區SiC半橋模塊制造項目簽約。該項目由晶能微電子與星驅技術團隊共同出資設立，重點布局車規SiC半橋模塊。該項目總投資約10億元，投資建設年產90萬套SiC半橋模塊制造生產線及相關配套，投產后預計實現年產值約12.5億元。據晶能微電子CEO潘運濱透露，該項目是在去年晶能微電子投資50.17億元建設晶圓和模塊生產線基礎上，聯合合作伙伴，針對新的市場需求和產品類型做的新一輪擴產投資。