天眼查顯示，華潤微電子(重慶)有限公司“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請公布號為CN118693137A。
本發明提供一種LIGBT器件及其制備方法，該LIGBT器件包括半導體結構、發射極結構、集電極結構、柵結構、浮空接觸區、隔離層及二極管結構，其中，半導體結構包括依次層疊的襯底、介電層及外延層；發射極結構包括基區、發射區及發射極接觸區；集電極結構包括緩沖區及集電區，緩沖區與基區之外的外延層作為漂移區；柵結構位于基區的上表面；浮空接觸區位于外延層的上表層，浮空接觸區與集電區間隔預設距離；隔離層位于集電區與浮空接觸區之間的外延層的上表面；二極管結構包括位于隔離層上表面且相互鄰接的陰極接觸區及陽極接觸區。本發明通過浮空接觸區及二極管結構的設置，消除了集電極電壓折回現象，降低了器件的關斷損耗與關斷時間。
