尊敬的各位行業(yè)專(zhuān)家、業(yè)界同仁：您好！ 

西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心誠(chéng)摯邀請(qǐng)您參加2024年11月18-21日，在蘇州國(guó)際博覽中心G館舉辦的“第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）”。現(xiàn)場(chǎng)，將在C01號(hào)展位歡迎業(yè)界同仁蒞臨參觀交流、洽談合作。 

屆時(shí)，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心副主任、特聘教授李祥東將出席論壇，并在“氮化鎵功率電子器件技術(shù) II”上，分享“藍(lán)寶石基GaN功率器件研究進(jìn)展”的主題報(bào)告。西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心執(zhí)行主任劉志宏將于“強(qiáng)芯沙龍·會(huì)客廳”分享“西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心平臺(tái)建設(shè)進(jìn)展”。敬請(qǐng)關(guān)注！

李祥東

西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心副主任、特聘教授

李祥東博士，西安電子科技大學(xué)華山教授，廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心副主任，電力電子中試線與產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題牽頭人，歐洲IMEC“卓越博士獎(jiǎng)”獲得者，2020年獲比利時(shí)魯汶大學(xué)（KU Leuven）歐洲微電子中心IMEC博士學(xué)位，擁有多年第三代半導(dǎo)體 GaN 芯片研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，深度參與了 IMEC 全球首家商用級(jí) 8 英寸硅基氮化鎵技術(shù)體系的開(kāi)發(fā)，支持全球多家企業(yè)實(shí)現(xiàn)GaN量產(chǎn)。 

演講報(bào)告：藍(lán)寶石基GaN功率器件研究進(jìn)展

演講場(chǎng)次：氮化鎵功率電子器件技術(shù) II

劉志宏

西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心執(zhí)行主任

劉志宏，西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心執(zhí)行主任，西安電子科技大學(xué)教授、博導(dǎo)。2007年加入新加坡南洋理工大學(xué)淡馬錫實(shí)驗(yàn)室，任職Research Associate，負(fù)責(zé)氮化鎵微波器件和MMIC制造技術(shù)的研發(fā)；2011年加入新加坡-麻省理工學(xué)院聯(lián)合科技中心（SMART），任職 PostDoc Associate、Research Scientist和Principal Research Scientist，負(fù)責(zé)硅基氮化鎵微波/毫米波/太赫茲器件、氮化鎵與硅CMOS異質(zhì)集成技術(shù)、氮化鎵電力電子器件等的研發(fā)。2019年全職回國(guó)加入西安電子科技大學(xué)，任職教授、博導(dǎo)。為IEEE高級(jí)會(huì)員。目前研究方向?yàn)镚aN等寬禁帶半導(dǎo)體器件物理、制造技術(shù)、表征建模與集成電路。 

演講報(bào)告：西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心平臺(tái)建設(shè)進(jìn)展

演講場(chǎng)次：強(qiáng)芯沙龍·會(huì)客廳 

關(guān)于西電廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心

 西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心由郝躍院士領(lǐng)銜、西安電子科技大學(xué)與廣州開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)共同建設(shè)，依托西安電子科技大學(xué)廣州研究院，并作為寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心廣州分中心，獲批廣東省第三代半導(dǎo)體氮化鎵射頻及功率器件與集成電路工程技術(shù)研究中心。創(chuàng)新中心一期投資5億元，建設(shè)第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)化基地，擁有8/6英寸第三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、加工制造、封裝、測(cè)試、可靠性分析等研發(fā)和中試平臺(tái)，致力于以氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體材料、器件與集成電路的工程化技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

  Guangzhou Wide-Bandgap Semiconductor Innovation Center (GWSIC), Xidian University is led by Chinese Academician Prof. HAO Yue and jointly established by Xidian University and Guangzhou Development Distinct Management Committee. It is hosted by the Guangzhou Institute of Technology, Xidian University and serves as the Guangzhou branch of the National Engineering Research Center for Wide-Bandgap Semiconductors. It has been approved as the Guangdong Engineering Technology Research Center for GaN RF and Power Devices and Integrated Circuits. Phase one of the Innovation Center involves a 500 million RMB investment to build a public service platform for wide-bandgap semiconductor technology and an entrepreneurship base. GWSIC holds 8/6-inch research and pilot platforms for wide-bandgap semiconductor design, fabrication, packaging, characterization and reliability analysis, focusing on the engineering R&D and the commercialization for the materials, devices, and integrated circuits of wide-bandgap semiconductors such as GaN etc.

 參會(huì)聯(lián)系