近日，珠海華芯微電子有限公司（以下簡稱“華芯微電子”）宣布，其首條6英寸砷化鎵晶圓生產線已正式調試完成，并成功制造出首片6英寸2微米砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）晶圓。這一重大進展標志著華芯微電子在化合物半導體技術領域實現了關鍵突破，同時也為未來的大規模生產打下了堅實的基礎。

據悉，華芯微電子在珠海高新區投資建設的格創·華芯砷化鎵晶圓生產基地項目中，6英寸砷化鎵晶圓生產線已經順利啟動，并成功產出首批6英寸2微米砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）晶圓。該項目自開工以來，得到了廣東省、珠海市政府以及珠海高新區的積極支持，同時也獲得了眾多合作伙伴的協助。華芯微電子與格力集團等設計和施工單位緊密協作，高效推進了項目的建設。項目主體結構封頂僅耗時184天，設備安裝和二次配工程在180天內完成，設備調試和生產線貫通更是僅用了90天，這一速度和執行力令人矚目。

此次成功生產的6英寸2微米砷化鎵HBT晶圓以其高增益和高效率的特點，預計將在5G Phase 7/8手機功率放大器模組和Wi-Fi 6/7等設備中發揮重要作用。這款產品的推出，不僅擴展了華芯微電子的產品系列，也標志著公司在射頻芯片國產化制造領域取得了新的成就。