5月22-24日，“2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，南京郵電大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業共同主辦。南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協辦。  

北京國聯萬眾半導體科技有限公司將攜多款產品亮相此次會議。屆時，北京國聯萬眾半導體科技有限公司總經理助理王川寶將出席會議，并帶來《SiC電力電子芯片技術與SiC基GaN射頻芯片技術進展 》的主題報告。值此，誠摯邀請第三代半導體產業同仁共聚盛會，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。  

嘉賓簡介

王川寶，2012年獲得北京航空航天大學材料學學位，后就職于中國電子科技集團公司第十三研究所，射頻器件領域專家。目前就職北京國聯萬眾半導體科技有限公司，任技術總監。從事氮化鎵、碳化硅等化合物器件工藝開發和器件研發工作。負責5G基站用GaN功率管研發及推廣，期間解決多個影響GaN功率管長期可靠性的本質問題，配合用戶實現GaN產品的研發和量產應用，產品性能指標和可靠性處于業內領先水平。獲得國家級獎勵一項，省部級獎勵一項，授權專利四項。

公司簡介

北京國聯萬眾半導體科技有限公司成立于2015年，是中國電科產業基礎研究院（中電十三所）下屬上市公司“中瓷電子：003031”的全資子公司。公司位于北京市順義區文良街15號，占地面積47.2畝，建筑面積7.1萬平方米。公司主營業務為第三代半導體氮化鎵和碳化硅芯片、器件的設計、生產與銷售，同時開展第三代半導體封裝、模塊、科技服務等業務。公司主導產品氮化鎵射頻功放芯片產品技術水平達到國際領先，并已在世界主流通信公司得到規模應用，累計發貨突破2億只;碳化硅 MOSFET產品技術水平達到國際先進，并已在新能源汽車、充電樁等領域開始大批量應用，累計發貨突破5萬只。

公司擁有國家“雙創”支撐平臺、眾創空間、中關村硬科技孵化平臺、北京市科技企業孵化器等資質，是國家第三代半導體創新技術中心(北京)主要建設和運營主體單位。2023年，國聯萬眾和中國電科產業基礎研究院控股上市公司“中瓷電子”重組成功，獲得募集資金將建設和開展“第三代半導體工藝及封測平臺建設項目”和“碳化硅高壓功率模塊關鍵技術研發項目”，進一步補充芯片及模塊產能，推動我國第三代半導體核心芯片實現自主可控，成為國際一流的第三代半導體骨干企業。

部分產品

SiC電力電子芯片

技術參數：SiC導電型襯底，6-8英寸薄片工藝（二極管芯片厚度100微米、MOSFET芯片厚度180微米），650V/1200V/1700V三大工作電壓系列，工作電流2-130A。

應用領域：PC、服務器、通訊電源、車載OBC、充電樁、光伏逆變器、PD快充。

GaN-HEMT射頻芯片

技術參數：頻率DC-18GHz，工作電壓5-70V，最大功率2000W（定制化產品）。

應用領域：雷達、通訊、射頻能源、通信干擾、無人機傳圖。

DWC3封裝SiC MOSFET三相全橋模塊

技術參數：采用真空回流焊工藝，AlSiC底板+低熱值AlN絕緣陶瓷，最高工作結溫175℃，寄生電感低于10nH，VDS：650~1700V， ID：300~700A，RDS(on) ：1.7~8.3mΩ

應用領域：重卡電機驅動

時間地點

5月22日-24日

（5月22日下午報到，23-24日會議日）

南京熹禾涵田酒店（南京市浦口區象賢路158號） 

組織機構

指導單位：

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）

主辦單位：南京郵電大學極智半導體產業網（www.ofran.cn）第三代半導體產業

承辦單位：南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產教融合學院）北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

協辦支持：電子科技大學南京郵電大學南通研究院蘇州鎵和半導體有限公司揚州揚杰電子科技股份有限公司

大會主席：郭宇鋒 聯合主席：柏松 張波 趙璐冰程序委員會：盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯  鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等

組織委員會

主 任：姚佳飛  

副主任：涂長峰

成 員: 張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等 

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設計技術、器件測試表征技術、器件可靠性、器件制造技術、功率集成IC技術

2.碳化硅功率器件與集成技術

碳化硅功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

3.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

5.模組封裝與應用技術

功率器件、模組與封裝技術、先進封裝技術與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術；制造、封裝、檢測及測試設備等

7.功率器件交叉領域

基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導體器件設計、制造與集成技術；人工智能驅動的功率器件仿真，建模與設計、封裝與測試 

會議日程

備注：上述日程或有更新僅供參考，最終以現場實際為準！

會議參與擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學、英飛凌、華虹半導體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導體所、三安半導體、芯聯集成、斯達半導體、中國科學技術大學、浙江大學、東南大學、復旦大學、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、廈門大學、南京大學、香港大學、天津大學、長飛半導體、華為、溫州大學、明義微電子、海思半導體、瞻芯電子、基本半導體、華大九天、博世、中鎵半導體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導體、國聯萬眾、西交利物浦大學、西安理工大學、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導體、中科院納米所、九峰山實驗室、平湖實驗室、北京工業大學、深圳大學、南方科技大學、華南師范大學、立川、國電投核力創芯、華中科技大學……等等 

會議參與

活動注冊：   

注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）

繳費方式：

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續查詢及開具發票。若需開具發票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發送至郵箱:lilyli@china-led.net。 

掃碼預報名：

備注：此碼為預報名通道，完成信息提交后，

需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。

論文投稿及報告咨詢：

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會聯系：

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com張

女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx投稿文章擇優推薦到EI期刊《半導體學報（英文）》。 

會議酒店：

南京熹禾涵田酒店

協議價格：標間&大床房，400元/晚，含早餐

地址：南京市浦口區象賢路158號

聯系人：陸經理 

電話：15050562332、025-58628888

郵箱：503766958@qq.com