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鼎泰芯源晶體董事長(zhǎng)趙
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鼎泰芯源晶體董事長(zhǎng)趙
高質(zhì)量磷化銦和銻化鎵襯底制備技術(shù)進(jìn)展及批量生產(chǎn)Progress in Preparation Technology and Batch Production of High Quality InP and GaSb Substrates趙有文珠海鼎泰芯源晶體有限公司董事長(zhǎng)ZHAO YouwenChairman of Zhuhai DT Wafer-Tech Co.,lTD
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guansheng2023-05-22 13:36
河海大學(xué)講師夏嶺：基
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河海大學(xué)講師夏嶺：基
基于正四面體照度計(jì)的高動(dòng)態(tài)范圍全景圖亮度校準(zhǔn)方法以及其在照明質(zhì)量評(píng)估光度測(cè)量中的應(yīng)用A new method to calibrate the luminance of HDR panoramas using a regular tetrahedron illuminance meter and its use in the photometric measurements of lighting quality.夏嶺河海大學(xué)講師XIA LingLecturer of Hohai University
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guansheng2023-05-22 10:44
武漢大學(xué)教授劉強(qiáng)：照
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武漢大學(xué)教授劉強(qiáng)：照
照明色彩質(zhì)量研究進(jìn)展Recent Research Progress on Colour Quality of Lighting劉強(qiáng)武漢大學(xué)教授LIU Qiang Professor of Wuhan university
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guansheng2023-05-22 10:27
大連理工大學(xué)副教授張
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大連理工大學(xué)副教授張
利用高Al組分-(AlGa)2O3緩沖層在藍(lán)寶石襯底上優(yōu)化生長(zhǎng)高質(zhì)量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer張赫之大連理工大學(xué)副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology
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guansheng2023-05-19 14:41
亞格盛電子副總經(jīng)理俞
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亞格盛電子副總經(jīng)理俞
半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)高純電子化學(xué)品質(zhì)量管理的高要求High requirements for the quality management of high-purity electronic chemicals in Semiconductor俞冬雷安徽亞格盛電子新材料有限公司副總經(jīng)理YU DongleiVice General Manager of Anhui Argosun?New Electronic Materials Co., Ltd
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guansheng2023-05-19 08:37
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研
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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研
平片藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長(zhǎng)High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
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guansheng2023-05-18 16:19
大連理工大學(xué)張赫之：
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大連理工大學(xué)張赫之：
兩步法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學(xué)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
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guansheng2022-09-01 16:19
山東大學(xué)賈志泰：大尺
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山東大學(xué)賈志泰：大尺
大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長(zhǎng)及性能研究穆文祥，李陽，賈志泰*，陶緒堂山東大學(xué)
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guansheng2022-09-01 16:18
中電科13所高楠：MOCV
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中電科13所高楠：MOCV
MOCVD生長(zhǎng)高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運(yùn)，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
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guansheng2022-09-01 13:45
沈波：高質(zhì)量 AlN 單
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沈波：高質(zhì)量 AlN 單
《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波教授北京大學(xué)
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limit2022-01-11 17:23
張逸韻：高溫氣氛退火
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張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對(duì)體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-07 14:21
吳亮：PVT法同質(zhì)外延
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吳亮：PVT法同質(zhì)外延
《PVT法同質(zhì)外延生長(zhǎng)高質(zhì)量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚(yáng)，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
宋文濤：液態(tài)銦氮化生
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宋文濤：液態(tài)銦氮化生
《液態(tài)銦氮化生長(zhǎng)高質(zhì)量氮化銦》作者：李凱，黃增立，劉爭(zhēng)暉，徐耿釗，韓廈，陳科蓓，張春玉，宋文濤，徐科單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州
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limit2022-01-05 11:20
魏同波：石墨烯驅(qū)動(dòng)的
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魏同波：石墨烯驅(qū)動(dòng)的
《石墨烯驅(qū)動(dòng)的應(yīng)力工程實(shí)現(xiàn)用于深紫外LED的無應(yīng)變AlN薄膜的高質(zhì)量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)院
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limit2022-01-05 10:53
【視頻報(bào)告 2018】賽
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【視頻報(bào)告 2018】賽
中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室工業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性設(shè)計(jì)中心副部長(zhǎng)胡寧帶來了《LED路燈控制裝置質(zhì)量現(xiàn)狀及提升建議》主題報(bào)告。他表示，通過產(chǎn)品故障數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)所做的統(tǒng)計(jì)，通常講數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的分析方法。因?yàn)槲覀冏鲑|(zhì)量或者做可靠性分析，認(rèn)為故障是改進(jìn)產(chǎn)品最重要的依據(jù)。一旦發(fā)生故障以后要分析這個(gè)故障的機(jī)理是什么，有哪些措施可以避免故障或者延遲故障的發(fā)生。基本上每個(gè)企業(yè)都有這么一個(gè)工作項(xiàng)目的基礎(chǔ)，都有故障信息。
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limit2021-04-29 12:32
【視頻報(bào)告 2018】金
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【視頻報(bào)告 2018】金
從光熱分布角度提高LED產(chǎn)品質(zhì)量性能，LED需要解決光和熱兩個(gè)問題，了解LED產(chǎn)品的光熱分布情況對(duì)提高其質(zhì)量性能至關(guān)重要。廣東金
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limit2021-04-29 12:11
【視頻報(bào)告 2018】英
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【視頻報(bào)告 2018】英
世界農(nóng)業(yè)正在向可持續(xù)性和資源利用效率創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的新技術(shù)范式過渡。通過持續(xù)的智能、綠色和增長(zhǎng)革命以及市場(chǎng)的新需求，這種新模式
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limit2021-04-29 12:06
【視頻報(bào)告 2018】中
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【視頻報(bào)告 2018】中
中科院半導(dǎo)體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報(bào)告，分享了該領(lǐng)域的研究動(dòng)態(tài)以及研究成果。
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limit2021-04-29 12:04
【視頻報(bào)告 2019】Ult
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【視頻報(bào)告 2019】Ult
上海大學(xué)教授，Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮分享了大批量工藝制備的高質(zhì)量氮化鋁模板材料表征分析。報(bào)告中介紹了使用Ult
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limit2021-04-29 10:41
【視頻報(bào)告】北京大學(xué)
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【視頻報(bào)告】北京大學(xué)
北京大學(xué)劉放做了題為高質(zhì)量h-BN薄層和針對(duì)III族氮化物外延的緩沖層應(yīng)用的主題報(bào)告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應(yīng)用的研究成果。
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limit2020-02-02 16:27