據了解，面向關鍵技術攻關方向，新啟動共建8家聯合研發中心，分別為：氮化鎵同質外延技術聯合研發中心、氮化鎵功率微波技術聯合研發中心、微顯示巨集成技術聯合研發中心、硅基氮化鎵材料聯合研發中心、寬帶通信濾波器芯片技術聯合研發中心、碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術聯合研發中心、微顯示Led技術聯合研發中心、超高分辨率Micro-LED顯示技術聯合研發中心等。
 

第三代半導體是全球半導體技術創新和產業發展的熱點。2006年起，園區就開始在該產業上布局。經過十幾年的發力，已成為國內第三代半導體產業資源集聚度最高、產業化程度最好的區域之一。目前，園區已擁有產業上下游企業53家，形成了以“設備輔材-襯底外延-器件”為核心、以“下游應用”為支撐的完整的產業鏈，并吸引10余位國家級重點人才在園區創新創業。同時，還建設了加工平臺、測試分析平臺、封裝平臺等一批公共服務平臺。

 

去年3月，國家科技部批復支持在園區建設國家第三代半導體技術創新中心。一年多來，這一國家級平臺交出了一份驕人的成績單：引進院士團隊3個、高層次人才近20人，組建了激光顯示等3個領域核心攻關團隊；材料生長平臺、測試分析平臺能力全面提升，服務企業及科研院所超百家；實施省級以上重點研發計劃3項，部分關鍵共性技術指標取得突破性進展；與高校院所、科技企業合作設立聯合研發中心9個，聚焦國家戰略需求開展協同攻關；成立3億元天使基金，舉辦了一系列學術活動，為產學研合作和科創成果轉化提供有力支撐。

 

同時，國創中心已組建由六十余名頂尖專家組成的第一屆技術專家委員會，會議現場為部分專家頒發聘書。蘇州納米科技發展有限公司與荷塘創業投資管理（北京）有限公司簽約成立蘇州荷塘創芯基金，今后將以“金融活水”為產業創新發展注入強動力。（來源：蘇州工業園區）