納微半導體今日宣布推出最新SiCPAK™功率模塊，該模塊采用環氧樹脂灌封技術及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術，經過嚴格設計和驗證，適用于最嚴苛的高功率環境，重點確保可靠性與耐高溫性能。目標市場包括電動汽車直流快充（DCFC）、工業電機驅動、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器與功率優化器、儲能系統（ESS）、工業焊接及感應加熱。
全新的1200V SiCPAK™功率模塊系列，采用先進環氧樹脂灌封技術，通過隔絕濕氣入侵以承受高濕度惡劣環境，并通過降低功率與溫度變化引起的性能衰減以穩定實現更高的熱耐性。
在經歷1000次熱沖擊測試（-40°C至+125°C）后，納微半導體SiCPAK™模塊的熱阻增加量比傳統硅膠填充殼體式模塊低5倍。此外，所有硅膠填充模塊在以上熱沖擊測試后均未通過隔離測試，而SiCPAK™環氧樹脂灌封模塊仍保持合格隔離等級。
憑借超過20年的碳化硅創新領導地位，納微半導體GeneSiC™獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術不僅可以提供業界領先的溫域性能，還能將損耗降低20%，同時運行的溫度更低并具有更卓越的魯棒性，從而為系統長期可靠性奠定基礎。
“溝槽輔助平面柵”技術使得RDS(ON)相較于溫度的變化更穩定，在更寬運行范圍內保持最低功率損耗，與競品相比在高溫實際工況下RDS(ON)降低達20%。此外，所有GeneSiC™碳化硅MOSFET均具備已公布的100%全測雪崩能力（行業最高水平），短路耐受能力提升達30%，并具備便于并聯的嚴格閾值電壓分布。
1200V SiCPAK™功率模塊內置NTC熱敏電阻，提供4.6m?至18.5m?規格，支持半橋、全橋及3L-T-NPC電路配置，與行業標準壓接式模塊可實現引腳對引腳兼容。另可選配預涂導熱界面材料（TIM）以簡化組裝流程。
(來源：納微芯球)
