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三安光電陳昭亮:碳化硅成新能源車800V時代的超強風口,2025年全球碳化硅將供不應求

日期:2022-03-28 來源:半導體產業(yè)網閱讀:254
核心提示:三安光電董事長特別助理、北京三安光電公司總經理陳昭亮在中國電動汽車百人會論壇上表示,2025年6寸碳化硅晶圓需求在保守與樂觀
三安光電董事長特別助理、北京三安光電公司總經理陳昭亮在中國電動汽車百人會論壇上表示,2025年6寸碳化硅晶圓需求在保守與樂觀情形下分別為219和437萬片,車用碳化硅需求占比60%,保守情況下碳化硅產能缺口將達到123萬片,樂觀情況下缺口將達到486萬片,屆時全球碳化硅襯底與晶圓將出現(xiàn)供不應求的局面。三安光電目前完成了碳化硅全產業(yè)鏈的建設,包括長晶襯體制作、外延生長、芯片制作、封裝等環(huán)節(jié),目前累計客戶已超過200多家。

陳昭亮演講的題目是“碳化硅產業(yè)化規(guī)模發(fā)展,助力高壓快充信心滿滿”,共分為三個部分。
 
一、碳化硅成新能源車800V時代的超強風口。
 
陳昭亮表示,碳化硅能很好地滿足新能源汽車高壓快充的要求。實現(xiàn)高壓快充的關鍵是通過增大電流或提升電壓來提升充電功率,但由于最大的充電電流提升存在可預見的上限,所以只能靠提升電壓。高電壓成實現(xiàn)快充的必然趨勢,碳化硅具有耐高溫能力強、耐高壓特性好的特點,將比硅IGBT整個的器件性能好很多,非常適合600v至10kv的適用范圍。同時,新能源系統(tǒng)電壓系統(tǒng)提高,意味著電動汽車所有的高壓元器件及管理系統(tǒng)都要提高標準,首先是逆變器。如果直流母線電壓提升到800v以上,對應的功率器件、耐壓則提高到1200v。
 
陳昭亮介紹,800v高壓平臺將成為主要車廠的重點布局方向。實際上幾乎所有的車企規(guī)劃中都已開始布局超級快充車型及相關技術研發(fā)。
 
“早在2019年保時捷就已對這樣的技術進行研發(fā),還有我們國內的小鵬汽車、比亞迪(230.400, -4.91, -2.09%)、華為、理想等整車企業(yè)都已經對外宣稱入局超級快充,實現(xiàn)幾百千瓦時的超級充電速度,從充電系統(tǒng)電壓來看,800v將是目前的主流方案,從量產時間來看,基于800v技術方案的新車將在2022年之后陸續(xù)上市。”他說。
 
二、市場需求快速爆發(fā)將導致碳化硅供需失衡。
 
陳昭亮通過一組數(shù)據解釋。采用800v車型的總量與碳化硅晶圓用量預測,根據EV Tank的預測,2025年新能源汽車全球銷量預計2240萬輛,假設B級以上的車輛優(yōu)先采用碳化硅器件,保守估計采用800v高壓平臺的車輛預計是437萬輛,如果所有B級以上車型采用碳化硅器件,采用800v高壓平臺的車輛總預計需要874萬輛。根據特斯拉和很多公開報道,兩臺新能源車消耗一片6寸的碳化硅晶圓,到2025年6寸碳化硅晶圓保守估計需要219萬片,樂觀估計需要437萬片。
 
2025年全球碳化硅襯底與晶圓的產能預測,對于2025年全球碳化硅的襯底與晶圓的供應情況,預計2025年全球襯底產能282萬片,其中中國89萬片,全球其他國家與地區(qū)193萬片,預計2025年全球晶圓產能242萬片,其中中國93萬片,全球其他國家與地區(qū)149萬片。
 
陳昭亮指出,2025年全球碳化硅襯底與晶圓的情況將出現(xiàn)供不應求的局面,2025年6寸碳化硅晶圓需求在飽受與樂觀情形下分別為219和437萬片。根據Yole預測,車用碳化硅需求占全行業(yè)的60%,其他代表性行業(yè),光伏、儲能、充電基建、電源、軌交等對碳化硅的需求占40%,由此推算,2025全球需要6寸碳化硅晶圓保守估計365萬片。碳化硅產能缺口將達到123萬片,在樂觀情形下達到的728萬片,碳化硅產能的缺口達到468萬片,全球碳化硅襯底與晶圓將出現(xiàn)供不應求的局面。
 
陳昭亮表示,碳化硅全產業(yè)鏈垂直整合更適合新能源汽車產業(yè)。車規(guī)功率半導體具有如下特征,產品設計高可靠性和高安全性,批量生產高穩(wěn)定性和一致性,供貨周期長,一般是10-15年,上述特征更適合采用IDM模式,也就是從設計、制造、封裝到做成產品都由一家公司完成,這種模式可以控制從芯片設計到模塊封裝的全部流程,更符合汽車對車規(guī)半導體高質量的要求。目前在碳化硅領域國際大廠科銳、羅姆、ST都已形成了碳化硅襯底、模塊供應體系,很多整車廠分別與上游的碳化硅材料與襯底企業(yè)簽署聯(lián)合聲明,或者戰(zhàn)略合作協(xié)議,鎖定碳化硅產能原因之一,原因之一是因為大家認為IDM模式更適合新能源汽車需求。
 
同時,雖然碳化硅的晶體管帶來更大價值,陳昭亮指出這仍面臨一些技術性和商業(yè)性的挑戰(zhàn)。如晶圓價格和某些工藝的復雜性,MOS產品性能的提升與批量供應能力,可靠性方面。具體來講,材料襯底方面由于碳化硅襯底生產效率低,成本比硅晶片高出許多,再加上后期的外延、芯片制造及器件封裝等低成品率,導致碳化硅器件價格居高不下。根據行業(yè)預測,目前批量化價格仍就是硅基IGBT的3-5倍。產品性能方面,碳化硅MOSFET制造工藝中的高質量、低界面態(tài)的柵界面調控技術還需加強,批量制造技術與成品率需要進一步提升。從應用端來看,碳化MOSFET似落地的時間非常短,從碳化硅落地和整車層面的應用這一鏈條尚未打通,一些諸如短路耐受時間等指標沒有得到足夠多的驗證,碳化硅MOSFET在車載領域的穩(wěn)定性和壽命等指標還需要時間和實踐驗證。
 
最后,陳昭亮介紹了三安光電在碳化硅行業(yè)的布局與解決方案。
 
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