半導體產業網獲悉：近日，清純半導體1200V 75 mΩ SiC MOSFET成功通過國內第三方可靠性驗證，榮獲全套AEC-Q101車規級認證并通過高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核。據悉，清純半導體是國內首次SiC MOSFET產品能夠同時通過AEC-Q101車規認證和HV-H3TRB雙重考核的公開報道。
清純半導體以提供國際一流的碳化硅（SiC）功率器件為己任，努力滿足新能源汽車及光伏等領域對高性能、高可靠性的產品需求。自公司成立以來，通過具有自主知識產權的獨到技術持續優化SiC器件各方面性能，致力于打造對標國際領先水平的系列產品。
AEC-Q101是汽車行業最為重要的的國際標準之一，是國際汽車行業通用的技術規范，是汽車電子必須獲得的認證之一。對于1200V耐壓器件，其在高壓高濕高溫反偏（HTRB）考核標準中耐壓通常為100V；而在HV-H3TRB考核中耐壓提高到960V，因而對器件的設計、制造及封裝技術提出了極高的挑戰。通過了HV-H3TRB可靠性驗證極大程度上代表功率器件在極端運行環境下的優良耐受能力及使用壽命，因而其逐漸成為各大主流汽車及光伏儲能廠家對高可靠性功率器件的通用要求。
清純半導體表示，此次通過該車規可靠性認證，標志著產品質量邁入了國際領先水平，為公司在新能源汽車及光伏領域等市場的拓展奠定了堅實基礎，是繼成功量產不同規格SiC MOSFETs（例如國內領先的15V驅動SiC MOSFETs和國內最低導通電阻的14毫歐SiC MOSFET）之后又一“里程碑”事件。我司將以此為契機，腳踏實地，銳意進取，不斷提升產品性能，為我國節能減排和新能源事業的發展貢獻自己的力量。
