為進一步提升數據中心模塊電源、電機驅動、D類功率放大器、光伏逆變器及輕混電動汽車等48V電源系統的整體性能，英諾賽科推出高集成半橋驅動功率芯片：Solid GaN系列之100V半橋氮化鎵功率芯片新品—ISG3201。

ISG3201是一顆耐壓100V的半橋氮化鎵芯片，其內部集成了2顆100V，導阻3.2mΩ的增強型氮化鎵和1顆100V半橋驅動，憑借內部集成驅動器，省去了外部鉗位電路，能夠顯著降低關聯的寄生參數；同時，該芯片還具有獨立的高側和低側PWM信號輸入，并支持TTL電平驅動，可由專用控制器或通用MCU進行驅動控制。

英諾賽科產品設計高級總監田水林博士表示：“ISG320x系列產品是英諾賽科主推的100V高功率密度GaN系列模塊產品，該產品系列將半橋驅動和兩顆GaN HEMT以及外圍元器件高度集成，大大簡化了電路設計。首發模塊產品ISG3201面積（5x6.5）僅略大于單顆標準5x6 Si器件，有效減小了PCB板面積。優化的模塊引腳設計顯著減小了主功率寄生參數以及由此引起的電壓尖峰，進一步提高了系統性能和可靠性。該系列產品是數據中心模塊電源，電機驅動以及D類功率放大器等48V電源系統的最佳選擇。”

ISG3201 產品特性

高集成半橋驅動：2顆100V增強型氮化鎵及1顆100V半橋驅動

耐壓100V，導通電阻3.2mΩ

60A持續電流能力

零反向恢復

5*6.5*1.08 mm封裝          

ISG3201 產品優勢

支持100V高邊電壓

集成驅動簡化外圍電路

大幅降低柵極和功率回路寄生電感

減小占板面積73%（VS Si）

提升系統效率及功率密度

更大散熱面積，有效降低溫升

ISG3201 應用領域

ISG3201簡化了低壓氮化鎵芯片在48V以及更低電壓系統中的應用，可便捷搭配多種控制器，滿足多場景應用需求，有效提升系統效率、降低系統能耗。

ISG3201現已進入量產階段。

2023年，英諾賽科將繼續推出滿足更多應用市場需求的ISG320x系列產品，進一步拓寬氮化鎵的應用領域，引領第三代半導體行業生態鏈建設。 

（來源：英諾賽科）