SiC外延片是SiC產業鏈條的核心環節，外延工藝是整個產業中非常關鍵的工藝，外延的質量影響器件的性能，對產業的發展起到非常關鍵的作用。碳化硅具有的耐高壓，耐高溫，高頻能力的優勢，非常有利于降低能量損耗，國內外半導體巨頭都在碳化硅的研發上不斷加碼，全球市場中，國外企業頗具優勢，國內企業也在不斷進步。

2023年5月5-7日，“2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇”在長沙召開。論壇在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導下，由極智半導體產業網與中國電子科技集團第四十八研究所等單位聯合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關裝備產業創新發展”、“關鍵零部件及制造工藝創新突破”、“產業鏈上下游協同創新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導體”，邀請產業鏈上下游的企業及高校科研院所代表深入研討，攜手促進國內碳化硅及其他半導體產業的發展。

期間，在“碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術”分論壇上，杭州海乾半導體有限公司董事長分享了碳化硅外延核心技術的產業化應用的最新進展。

報告介紹了碳化硅外延環節，以及碳化硅外延工藝的核心技術，依托海乾外延團隊在行業內多年的經驗積累，分享了當前本土化生產線的外延工藝開發過程，包括國產外延設備、國產檢測設備及國產襯底原材料的使用效果。報告指出，本土化生產線的實際使用效果可以達到優于海外進口設備的常規水平，建議碳化硅外延生產線的本土化也勢在必行。

孔令沂表示，海乾半導體致力與上下游努力配合，做好外延環節的一些工作，助力本土化碳化硅產業鏈以優秀的成果，共同推動國內碳化硅行業長期發展。

嘉賓簡介

孔令沂，博士，杭州海乾半導體有限公司董事長，山東大學新一代半導體材料研究院 研究員。在第三代半導體外延領域，具有17年的研究和工作經驗，曾任職于德國AIXTRON及天域半導體科技有限公司。研究成果共發表SCI論文19篇，EI論文5篇，獲發明專利授權6項，實用新型專利授權7項。