近日，瑤光半導體1期工廠投入運營，規劃2條萬級潔凈裝配線，目前主要用于碳化硅(SiC）激光退火設備的研發生產以及SIC外延設備( MOCVD)的裝配調試。
同時，莫干山研究院與瑤光半導體成立聯合實驗室，該實驗室將承接產學研孵化項目，共同深入開展相關課題研究。
國內率先量產SiC激光退火設備
瑤光半導體自主研發的SiC激光退火設備(ES500)已經率先實現量產，并將于9月完成首批交付。
與同類產品相比，ES500采用多項自主專利技術。憑借更高的生產效率、更高的安全可靠性、逐行及局部退火雙模式以及全自動生產等多種核心技術優勢，在增效降本方面體現行業競爭力。
專注第三代寬禁帶半導體制程設備研發及制造
瑤光半導體在研設備“星型SiC MOCVD”（ES600)，將持續加大自主研發力度，進一步提供核心部件國產化解決方案。據了解，ES600計劃于今年四季度完成研發，這將有望填補國內該市場領域的空白。
根據YOLE數據統計，2027年全球導電型碳化硅功率器件市場規模將由2021年的10.90億美元增至62.97億美元，2021-2027年每年以34%年均復合增長率快速增長。
作為國內極少數正向研發并已實現規模化、產業化制造銷售第三代寬禁帶半導體制程設備的公司，瑤光半導體將繼續以領先的技術創新優勢，進一步推進半導體制程設備的研發生產工作，與芯片研發制造企業共贏。
