復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所（以下簡稱“寬禁帶所”）由復旦大學寧波研究院聯合復旦大學工程與應用技術研究院共同組建，聚焦SiC功率半導體材料缺陷表征、器件設計、器件制造工藝、封裝工藝開發等主要方向，以市場需求為導向，技術創新研發為動力，高端人才培養為支撐，采用政府引導、高校支撐、企業聯合研發、全產業鏈協同的政產學研相結合的模式，重點突破SiC材料與器件關鍵共性技術及先進制造工藝，聯合上下游建立虛擬IDM模式，為寧波SiC優勢產業集群的形成提供強有力支撐。

寬禁帶所建設總投入約4.6億元，主要用于器件工藝研發與中試線、先進封裝研發線、測試及可靠性平臺的設備采購、能力建設和日常運營管理等。接下來將按照國家級和省級重點實驗室標準，加快建設面向前瞻研究與成果轉化、具備國際領先水平的碳化硅半導體材料與器件高水平研發平臺，力爭成為國家級碳化硅半導體技術研發中心，打造寧波“碳化硅谷”。 

招聘崗位 

博士后研究人員

工作地點：寧波前灣新區 

招聘方向：

1）寬禁帶半導體材料生長與缺陷表征技術；

2）寬禁帶半導體功率器件設計、先進制造工藝及器件可靠性評價；

3）超寬禁帶半導體材料、器件及工藝研究；

4）高頻高功率先進封裝技術與可靠性測試。

 招聘要求： 

1）符合復旦大學寧波研究院博士后基本申請條件。已獲得微電子、電力電子器件與應用、半導體物理與材料、半導體制造裝備、材料科學與工程、電氣工程、化學等相關專業的博士學位（或者將在6個月內取得博士學位證書的應屆博士畢業生）。年齡原則上不超過35周歲，在站期間全職從事博士后研究工作；

2）在攻讀博士期間取得較好的研究成果，具有扎實的理論基礎和較強的動手實踐能力，能獨立開展研究工作，并具有優秀的團隊合作精神，尤其是從事交叉性學科研究的能力。入站前3年具有代表性科研成果，包括但不限于高水平論文、新產品、新工藝、重大咨詢報告、發明專利、標準、科技獎勵等形式；

3）具有良好的英語讀寫能力，可以獨立撰寫研究論文；熱愛科研，具有較強的實驗和數據分析能力，有良好的溝通、表達能力和團隊合作精神；具有功率半導體領域出色研發經歷者將獲得優先考慮。 

薪酬及福利待遇

1、原則上稅前年薪不低于40萬元（含地方政府人才補助），具體面議； 

2、可享受寧波市、前灣新區政府相應人才政策； 

3、對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，寧波市及相關區域財政給予相應配套資助； 

4、提供寧波前灣新區人才公寓； 

5、提供一流的實驗與科學研究條件；

6、課題組將根據工作能力和表現，提供額外獎勵，具體面議；除薪資之外，將根據研究貢獻、論文發表、基金項目等給予可觀的績效獎勵，特別優秀者待遇面議； 

7、在站期間，符合條件的博士后研究人員可申報研究院相關系列高級專業技術職務；表現優秀、業績突出者，如符合要求，可優先推薦申請研究院青年優才計劃。 

個人培養

博士后研究人員由復旦大學寧波研究院與復旦大學聯合培養。我們將為博士后研究人員提供如下支持： 

1）推薦申報各類人才資助項目，包括但不限于全國博新計劃； 

2）推薦并指導申報中國博士后基金，并申請其他國家級、浙江省和寧波市相關基金項目； 

3）提供專業技能培訓，服務職業發展； 

4）推薦優秀博士后到國際頂會、國內外頂級名校進行學術交流。 

合作導師及研究方向

一、張清純教授

復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所所長。現任復旦大學特聘教授、博士生導師，上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任，清純半導體董事長，專長于寬禁帶半導體物理與器件的教學、科研、應用與產業化，長期從事SiC器件的研發和產業化，是該領域國際知名專家。迄今已撰寫100余篇科技論文和SiC器件領域專著；多次受邀在國際碳化硅、功率半導體的學術會議上作大會報告；作為第一和合作發明人，擁有100多項美國及國際專利；多次擔任ISPSD技術委員會成員和碳化硅器件分會主席；曾任國際電力電子技術路線圖研討會聯合主席等。 

二、雷光寅博士復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所副所長。現任復旦大學研究員、博士生導師，清純半導體首席科學家，曾在美國著名電力電子研究中心（CPES）和福特汽車研究中心長期學習和工作，參與了高新納米材料的開發、高功率密度半導體功率模塊設計以及高性能新能源汽車電機控制器的研發項目，在多個領域做出了開拓性的原創工作。發表高水平學術期刊論文30余篇，其中高引數量17篇；作為第一或合作發明人，至今共取得超過40項美國及中國發明專利。2018年度入選第八屆上海QR（創新長期）。

三、劉冉教授復旦大學寧波研究院特聘研究員。現任復旦大學信息科學與工程學院教授、博士生導師、教育部長江學者。主要從事半導體技術、集成電路制造工藝、微納電子/光電子和柔性電子材料與器件的研究。發表SCI論文300余篇，其中有一篇論文被“The Scientists”評為1988年國際物理界最熱門文章，另一篇被美國材料學會列為其2002年所有會議論文集文章的下載之最。主持過多項國家科技部973、863和國家基金委等項目以及歐洲第7框架等國際合作項目。 

四、樊嘉杰博士復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所學術帶頭人。現任復旦大學青年研究員、博士生導師。長期從事寬禁帶半導體封裝及可靠性研究。迄今發表學術論文110余篇，近5年以第一作者和通訊作者在Laser Photonics Rev., Corrosion Science, IEEE TPEL/TED/EDL等高質量期刊上發表論文30余篇；申請/授權專利20余項。作為負責人承擔或學術骨干參與國家“863”計劃重點項目/課題、國家自然科學基金、上海市科技計劃等。獲“江蘇省科學技術三等獎”、“國際半導體照明聯盟突出貢獻獎”、IEEE高級會員、全國“第三代半導體卓越創新青年”、上海市“浦江人才（D特殊急需類）”。 

應聘程序

應聘者請將個人簡歷、代表性成果、工作設想和2封推薦信等相關材料發至huangjuanjuan@fudannb.com（黃老師），郵件主題請注明“應聘博士后-研究方向-姓名”。  

研究院將對應聘者簡歷進行初篩，并推薦合作導師，對滿足申請條件與研究需要的應聘者通知面試，面試通過后進行背調與資格審查，經研究院最終批準后，通知應聘者提交進站申請和正式書面材料。未通過者，不再另行通知。 

我單位承諾對應聘者提交的所有材料嚴格保密。應聘者須對提供的所有材料的真實性負責。  

聯系人：黃老師

聯系方式：15867361526 

所長寄語

張清純

復旦大學特聘教授

復旦大學寧波研究院寬禁帶所所長

寬禁帶半導體即第三代半導體（SiC和GaN）是支撐新能源汽車、高速列車、能源互聯網、新一代移動通信等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件，契合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求，被列為國家科技創新2030重大項目“重點新材料研發及應用”重要方向之一。我國在第三代半導體應用領域有戰略優勢，有機會實現核心技術突破和產業戰略引領，在國際競爭中搶占先機，重塑全球新興半導體產業格局。 

碳化硅(SiC)作為新興的第三代半導體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導率等優異性能，是第三代半導體的主要方向，成為繼以Si、Ge等材料為主的第一代半導體以及GaAs、InP等化合物材料為主的第二代半導體后的又一重要突破，已在光電子、功率、微波等方向得到廣泛應用。 

我的職業生涯親歷了SiC半導體材料從萌芽到產業化，見證了SiC器件從小眾到主流的整個歷程，積極參與和推動了SiC半導體技術的發展。技術進步沒有止境，SiC半導體材料和器件的不斷迭代仍需要從根本上研究解決諸如材料生長與缺陷形成機制、MOS溝道遷移率、器件及系統可靠性等重大基礎科學問題，亟需發展創新關鍵技術、形成自主知識產權，為SiC半導體產業的快速發展、技術升級提供有力支撐和保障。 

熱忱歡迎有志于從事第三代半導體領域科技研發和成果轉化事業的優秀博士后人才加入研究院團隊，共同推動寬禁帶半導體技術發展！

(來源：復旦大學寧波研究院 )