碳化硅具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率、化學穩定性好等優異的物理化學性能，在電動汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G 通訊等領域具有重要的應用潛力。生長大直徑、高結晶質量、低缺陷密度的4H-SiC單晶是實現SiC器件應用的關鍵。近年來，在新能源產業強勁需求下，全球SiC產業步入高速成長期，推升了對SiC襯底產能的需求。
2024年6月21至23日，“新一代半導體晶體技術及應用大會”將在山東濟南召開，將邀請新一代半導體領域相關高校院所專家和知名企業代表出席，共同研討新一代半導體晶體技術進展及未來發展趨勢，分享前沿研究成果，攜手助力我國新一代半導體晶體技術進步和產業發展。
山東大學/副教授、山東中晶芯源半導體科技有限公司/技術總監楊祥龍受邀將出席會議，并做《碳化硅單晶襯底材料的研究進展》的主題報告，當前SiC單晶材料兩個重要的發展趨勢：一是擴大晶圓尺寸，使得單片襯底的器件數目增加，降低成本；二是降低缺陷密度，提升良率。8英寸SiC襯底在降低器件單位成本、增加產能供應方面擁有巨大的潛力，成為行業重要的技術演化方向。報告將主要介紹廣州南砂晶圓半導體技術有限公司聯合山東大學近期大尺寸SiC單晶襯底的研究進展。
楊祥龍，山東大學副教授、博導，任山東中晶芯源半導體科技有限公司技術總監，山東省泰山學者青年專家。長期從事寬禁帶半導體SiC晶體生長和缺陷分析研究，擁有豐富的單晶生長及缺陷研究的理論基礎和實踐經驗。主持和參與多項國家和省部級科研項目，發表論文40余篇，申請/授權專利30余項，主導和參與制訂團體標準4項。
山東中晶芯源半導體科技有限公司（簡稱“中晶芯源”）于2023年5月19日在山東省濟南市歷城區注冊成立，注冊資本人民幣2億元，是廣州南砂晶圓半導體科技有限公司（以下簡稱“南砂晶圓”）全資子公司。公司位于濟南智能傳感器產業園南區（歷城區彩石街道虎山路889號），園區占地面積165畝、建筑面積17萬平方米，擁有完善的生產、研發、辦公和配套生活設施。
中晶芯源“8英寸碳化硅單晶和襯底產品產業化項目”規劃投資15億元，打造中國最大的8英寸碳化硅單晶襯底生產基地。項目是南砂晶圓實現“提質上量、換道超車、跨越發展”戰略、打造國際一流碳化硅單晶襯底供應商的重要舉措。
公司技術來源于中國碳化硅單晶襯底技術發源地--山東大學晶體材料國家重點實驗室，基地設有山東大學研究生聯合培養基地和晶體材料國家重點實驗室產業化基地，與山東大學建立了深度產學研合作關系。作為山東省、濟南市重點支持的碳化硅半導體產業鏈骨干企業，公司將通過持續創新成為全球馳名的碳化硅襯底供應商，助力濟南市成為國家級碳化硅產業集聚區。
8英寸導電型碳化硅襯底
公司生產的8英寸導電型碳化硅襯底的微管密度、螺位錯密度和層錯可達到0、基平面位錯密度≤200cm-2，技術指標處于國際領先地位。公司主營產品包括8英寸、6英寸導電型和半絕緣碳化硅襯底及晶體。碳化硅單晶是寬帶隙半導體材料的典型代表，具有禁帶寬、熱導率大等優越的物理性質，具有耐高溫、耐高壓、抗輻照、高頻、高效的特性，已獲得廣泛應用。
導電型 SiC 襯底主要用于高電壓大電流的電力電子器件，包括肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等；半絕緣SiC襯底主要用于微波射頻器件，如高電子遷移率晶體管(HEMT)，具有大功率密度、耐高溫、抗輻射等優點。
一、組織機構
指導單位：
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
主辦單位：
山東中晶芯源半導體科技有限公司
山東華光光電子股份有限公司
山東大學新一代半導體材料研究院
山東大學晶體材料國家重點實驗室
極智半導體產業網（www.ofran.cn）
第三代半導體產業
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
廣州南砂晶圓半導體技術有限公司
協辦支持：
山東硅酸鹽學會新材料專委會
濟南晶谷研究院
江蘇通用半導體有限公司
北京中電科電子裝備有限公司
江蘇才道精密儀器有限公司
上海澈芯科技有限公司
顧問委員會：
陳良惠 鄭有炓 吳以成 褚君浩 祝世寧 李樹深 王立軍 黃如 楊德仁 葉志鎮 江風益 劉益春 羅毅 金奎娟 劉紀美
大會主席：張榮 徐現剛 吳玲
大會副主席：陳秀芳 趙璐冰 王垚浩 吳德華
程序委員會：
李晉閩 沈波 康俊勇 張清純 馮淦 盛況 邱宇峰 張波 柏松 陳彤 修向前 黃凱 胡卉 伊曉燕 黎大兵 孫濤 宋慶文 魏同波 張紫輝 鄧小川 劉斌 王曉亮 王新強 張進成 吳軍 趙德剛 孫錢 楊學林 單崇新 于浩海 葉建東 王宏興 王篤福 王光緒 宋慶文 韓吉勝 黃森 馮志紅 龍世兵 房玉龍 彭燕 徐明升 朱振 夏偉 楊祥龍 孫洪波 王成新 于國建 萬成安 上官世鵬
組織委員會：
李樹強 李強 高娜 張雷 寧靜 閆方亮 崔瀠心 謝雪健 肖龍飛 薛軍帥 王榮堃 劉鵬 王雨雷 王希瑋 賈欣龍 王守志 崔鵬 鐘宇 李沛旭 沈燕 杜軍軍 任穎 許建華 等
二、主題方向
1. 碳化硅晶體技術及其應用
·碳化硅晶錠激光剝離技術及其設備
·液相法碳化硅單晶生長技術
·碳化硅外延生長技術
·先進長晶及外延碳材石墨技術
·碳化硅功率器件設計與制造技術
·先進碳化硅長晶爐及外延生長裝備
·先進晶體缺陷檢測技術及其設備
·先進研磨設備及先進拋光技術
·激光退火設備及技術
·先進刻蝕設備及技術
·銀燒結封裝技術及先進封裝設備
2. 氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應用
·氮化鎵單晶及外延生長技術
·氮化鎵功率及射頻器件技術
·超寬禁帶半導體單晶技術
·鈮酸鋰晶體技術制備
·大尺寸金剛石單晶生長技術
·氧化鎵單晶生長技術
·氧化鎵外延及器件技術
·先進AlN 單晶生長技術及其應用
·Micro LED 技術
3. 砷化鎵、磷化銦晶體及其應用
·砷化鎵、磷化銦單晶及外延技術
·半導體激光器技術及應用
·車用激光雷達技術及應用
·光通信技術及應用
·紅外LED及顯示照明技術
三、會議概覽
會議時間：2024年6月21-23日
會議酒店：山東·濟南融創施柏閣酒店
四、擬參與單位
北方華創、百識電子、比亞迪半導體、長飛半導體、東莞天域、東尼電子、華大半導體、華虹半導體、海思半導體、海創光電、瀚天天成、國星光電、基本半導體、江蘇宏微、晶盛機電、晶湛半導體、科友半導體、山東華光、連城數控、理想汽車、麥科信、南砂晶圓、日立、三安半導體、山東華光、山東華云光電、中晶芯源、是德科技、三環集團、爍科晶體、士蘭微、STR、蘇州納維、宇晶股份、艾姆希半導體、晶工半導體、賽爾科技、通用半導體、泰克科技、安儲科技、華林嘉業、聯盛電子、厚德鉆石、博宏源、昂坤視覺、瑞霏光電、中科漢達、上海央米智能、同光半導體、泰科天潤、特思迪、ULVAC、先導新材、西門子、小鵬汽車、意法半導體、英飛凌、揚杰科技、英諾賽科、中博芯、中電化合物、中電科二所、中電科十三所、中電科四十六所、中電科四十八所、中電科五十五所、中鎵半導體、中微公司、瞻芯電子、中芯國際、北京大學、東南大學、電子科技大學、復旦大學、清華大學、南京大學、山東大學、西安電子科技大學、西安交通大學、廈門大學、浙江大學、中科院半導體所、中科院微電子所等
五、活動參與
1、注冊費2800元，6月10日前注冊報名2500元（含會議資料袋，6月22日午餐、歡迎晚宴，6月23日自助午餐、晚餐）。企業展位預定中，請具體請咨詢。
2、掃碼報名
掃碼完成預報名，然后再注冊繳費
六、繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名，以便后續查詢及開具發票。若需開具發票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發送至郵箱:lilyli@china-led.net。
七、聯系方式
報告及論文投稿聯系：
賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
參會及商務合作：
賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
中晶芯源 聯系人 ：
王先生 15811352980
八、協議酒店
1、會議酒店名稱：濟南融創施柏閣酒店（濟南市歷城區鳳鳴路5865號）
協議價格：大床/ 標間 含早 500元/1-2份早餐
預訂方式：
發郵件到 預訂部 jnrcwlc@huazhu.com 抄送：victoria0001@hworld.com
郵件模本：晶體會議，姓名，電話，房型，入住時間，退房時間
酒店銷售經理：謝文寧15966068948
2、周邊協議酒店
