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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應用

浙大科研團隊新發(fā)現(xiàn)或突破電動汽車鋰電池“快充和低溫”瓶頸

重慶研究院發(fā)展出仿生“視聽”光電探測器

復旦大學微電子學院器件工藝團隊研發(fā)基于全無機鈣鈦礦的多功能集成光子器件

香港科技大學開發(fā)高效結(jié)合III-V與硅的新集成技術(shù) 有助革新數(shù)據(jù)通信

西電郝躍院士團隊在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展

北大團隊新型器件技術(shù)加速GaN進入工業(yè)與汽車應用

新進展│深圳大學劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

廈大物理寬禁帶半導體團隊在量子點電子態(tài)和自旋態(tài)操控領(lǐng)域取得重要進展

昆明理工大學在溶液法生長高純3C-SiC晶體研究方面取得進展

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

廈大、華為合作，實現(xiàn)具有超低邊界熱阻的硅/多晶金剛石鍵合

量子半導體器件實現(xiàn)拓撲趨膚效應

器件新突破！香港科技大學教授陳敬團隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點的實驗晶體管！

唐為華教授團隊通過熱重排工程和能帶調(diào)制實現(xiàn)可調(diào)諧的 Ga?O? 日盲光敏性能

清溢光電：已實現(xiàn)180nm工藝節(jié)點半導體芯片掩膜版的量產(chǎn)

中國科學院半導體研究所在脈沖型人工視覺芯片研制取得新進展

中科院物理所陳小龍團隊：晶圓級立方碳化硅單晶生長取得突破

北大團隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

中國科學家提出基于信號關(guān)聯(lián)的新量子傳感范式

首個由石墨烯制成的功能半導體問世?電子遷移率是硅的10倍

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

新進展！西安交通大學實現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底量產(chǎn)

上海光機所在高重頻高功率超快激光器研究取得進展

山東大學彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復合襯底的進展

廈門大學林楷強教授團隊在二維半導體材料的激子研究方面取得新進展

4H-SiC 中基面位錯滑移帶表征和外延傳播

日本團隊：金剛石MOSFET研制取得最新進展

北京大學申請半導體器件結(jié)構(gòu)專利

中國科學院長春光機所黎大兵研究團隊喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎

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