第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

本屆論壇除了重量級開、閉幕大會，設有七大主題技術分會，以及多場產業峰會，將匯聚全球頂級精英，全面聚焦半導體照明及第三代半導體熱門領域技術前沿及應用進展。目前，“氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術分會”最新報告日程正式出爐，將著力聚焦最新技術發展與前沿趨勢。

本屆分會得到了三安光電股份有限公司、 納微朗科技(深圳)有限公司、 中微半導體設備(上海)股份有限公司、馬爾文帕納科公司的協辦支持。屆時，該分會將有北京大學教授于彤軍、 深圳大學物理與光電工程學院副院長武洪磊、北京化工大學教授張紀才、馬爾文岶納科 亞太區半導體行業經理鐘明光 、鄭州大學魯正乾、南京大學教授修向前、 中微公司MOCVD工藝總監陳耀、 中國科學院蘇州納米所助理研究員司志偉、蘇州大學周繼宗、深圳大學曹緣、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所方俊等科研院校知名專家及實力派企業代表共同參與，將圍繞氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術的發展分享主題報告。

分會日程詳情如下：

技術分論壇：氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術 Technical Sub-Forum: Technologies for Nitride Substrate, Epitaxy Growth and Equipment
時間：2023年11月29日08:30-12:00 地點：廈門國際會議中心酒店 • 大同廳 Time: Nov 29, 08:30-12:00 Location: Xiamen International Conference Center • Datong Hall
協辦支持/Co-organizer: 三光光電股份有限公司       San’an Co.,ltd 中微半導體設備（上海）股份有限公司      Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China（AMEC） 賽邁科先進材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation
屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
主持人 Moderator	沈  波 / SHEN Bo 北京大學理學部副主任、教授 Deputy Director and Professor of School of Physics, Peking University 徐  科 / XU Ke 江蘇第三代半導體研究院院長、中國科學院蘇州納米所副所長、研究員 Associate Director of Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS; President of Suzhou Nanowin Co. Ltd.
08:25-08:30	嘉賓致辭 / Opening Address
08:30-08:50	大尺寸AlN單晶生長研究 The PVT growth of large AlN bulk crystals 于彤軍--北京大學教授 YU Tongjun--Professor of Peking university
08:50-09:10	PVT法同質擴徑制備大尺寸氮化鋁晶體 Preparation of Large Size AlN Crystals by PVT Homogeneous Enlargement 武洪磊--深圳大學物理與光電工程學院副院長 WU Honglei--Vice Dean，School of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University
09:10-09:30	半極性AlN材料及二極管制備研究 The grwoth of semipolar AlN and its diodes 張紀才--北京化工大學教授 ZHANG Jicai--Professor of Beijing University of Chemical Technology
09:30-09:50	高分辨率X射線衍射技術在半導體材料分析中的應用   Application of high-resolution X-ray diffraction technology in semiconductor material analysis 鐘明光--馬爾文岶納科 亞太區半導體行業經理 Eddy ZHONG--Asia Pacific Semiconductor Industry Manager, Malvern Panalytical
09:50-10:05	Study on nucleation of AlN Thin Films Grown by MOCVD 魯正乾--鄭州大學 LU Zhengqian--Zhengzhou University
10:05-10:20	茶歇 / Coffee Break
10:20-10:40	基于HVPE的氮化鎵單晶設備與工藝技術 GaN single crystal equipment and process technology based on HVPE 修向前--南京大學教授 XIU Xiangqian--Professor of Nanjing University
10:40-11:00	High Quality GaN-based HEMTs Grown on 8” Si Substrate Using Single Wafer MOCVD Platform 陳耀--中微公司MOCVD工藝總監   CHEN Yao--Director of MOCVD Process Technology，Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China（AMEC）
11:00-11:20	氮化鎵同質外延中的雪崩擊穿特性Avalanche breakdown characteristics in homogeneous epitaxy of GaN 冀 東--香港中文大學（深圳）助理教授 JI Dong--Assistant Professor of The Chinese University of HONGKONG, Shenzhen
11:20-11:35	助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展 Research progress of GaN growth by Na Flux 司志偉--中國科學院蘇州納米所助理研究員 SI Zhiwei--Assistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
11:35-11:50	基于雙層石墨烯的高質量GaN薄膜的外延生長 Epitaxial growth of high-quality GaN films based on Bilayer graphene 周繼宗--蘇州大學 ZHOU Jizong--Soochow University
11:50-12:05	GaN:Mg薄膜金屬調制外延中周期占空比的影響 The Effect of Periodic Duty Cyclings in metal-Modulated Epitaxy on GaN:Mg Film 方俊--中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 FANG Jun--Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences

 （備注：本場會議日程仍在調整中，僅供參考，最終以現場為準！）

部分嘉賓簡介

沈波

北京大學理學部副主任、教授，，分會程序委員會專家

沈波，北京大學教授、北京大學理學部副主任。曾任國家973計劃項目首席科學家、863計劃“第三代半導體”重點專項總體專家組組長。現為國家十四五計劃 “新型顯示和戰略性先進電子材料” 重點專項專家組副組長兼第三代半導體方向專家組組長，并擔任國家第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長。1995年迄今一直從事GaN基第三代半導體材料、物理和器件研究，在GaN基薄膜和量子結構的MOCVD外延生長、強極化/高能帶階躍半導體二維電子氣輸運性質、 GaN基射頻和功率電子器件、AlGaN基深紫外發光材料和器件等方面取得了在國內外同行中有一定影響的研究成果。先后與華為、京東方、彩虹集團、北方華創、廣東光大集團等開展技術合作, 部分成果實現了產業化應用。先后獲國家技術發明二等獎、國家自然科學二等獎、江蘇省科技進步一等獎和教育部科技進步一等獎。

徐科

中國科學院蘇州納米所副所長、研究員，，分會程序委員會專家

徐科，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所副所長、研究員，江蘇第三代半導體研究院院長。一直圍繞高質量氮化物半導體材料生長、相關材料與器件物理開展研究。開展了多種與GaN晶格匹配的單晶體生長，在LiAlO2(100)襯底上用MOCVD方法首次外延生長出非極性m面GaN；系統研究了GaN的MOCVD和MBE生長機理，氮化物的極性選擇、極性控制，闡明了極性對氮化銦(InN)生長的特殊影響，是國際上最早發現InN窄帶隙的研究者之一；近年來重點開展氮化物的氫化物氣相外延(HVPE)生長研究、極低缺陷密度氮化物材料的物性研究，研發出可以連續穩定生產GaN單晶襯底的HVPE系統，開發出高質量完整2英寸單晶氮化鎵襯底，并實現批量生產；組織開展納米尺度空間分辨的綜合光電測試技術與裝備研制、微納尺度原位加工與測試技術的融合，并用于半導體中單個缺陷和低維結構的新奇物性研究。承擔了國家自然科學基金、973重大研究計劃、863項目、科技部國際合作項目、中科院裝備研制項目、江蘇省重大科技成果轉化專項、發改委戰略新興產業化示范項目等。

黎大兵

中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員，分會程序委員會專家

黎大兵，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員。主要研究領域為GaN半導體材料與器件。作為項目負責人承擔國家重點研發計劃課題、國家自然科學基金、中國科學院科研項目10余項。曾獲中國科學院優秀導師、吉林省青年領軍人才、吉林省第5批拔尖創新人才、中國科學院青年創新促進會優秀會員、中國科學院盧嘉錫青年人才獎、吉林省自然科學學術成果獎一等獎（排名第一）、吉林省優秀海外歸國人才優秀獎等獎項和榮譽。擔任《Scientific Reports》、《半導體學報》、《發光學報》編委，中國金屬學會寬禁帶委員會委員，OSA高級會員。在Physical Review Letters、Advanced Materials,Light：Science & Applications，Applied Physics Letters等國際期刊上等發表SCI論文50余篇，申請發明專利十多項。

畢文剛

江蘇第三代半導體研究院副院長，分會程序委員會專家

畢文剛，江蘇第三代半導體研究院副院長。美國加州大學圣地亞哥分校電氣與計算機工程系博士。曾先后在美國惠普(HP)實驗室、安捷倫(Agilent)實驗室、飛利浦Lumileds 公司擔任資深科學家，NNCrystal US Corporation/納晶科技股份有限公司擔任副總經理及董事會董事等職務，主持前沿技術研發及成果轉化。長期從事半導體材料，量子點超晶格光電器件，固態照明和量子點顯示領域的前沿科技研究及成果轉化。以實現產業化為終極目標，領導和參與過多項大型科研項目, 并組建和培養了一批科技中堅力量。

張源濤

吉林大學教授，分會程序委員會專家

張源濤，吉林大學教授、博士生導師，教育部重大人才工程特聘教授，教育部新世紀人才，中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會委員。曾長期在德國和日本從事寬禁帶半導體科學研究工作。2006年2月至2007年2月，德國德累斯頓工業大學應用物理研究所洪堡學者（Humboldt fellow）。2008年8月至2010年3月日本東北大學金屬材料研究所JST-CREST研究員。2010年4月至2012年5月日本東北大學金屬材料研究所日本學術振興會外國人特別研究員(JSPS fellow)。主要研究方向涉及氮化物半導體材料的外延生長、物理特性及相關器件研究。氧化物材料的外延生長、物理特性及應用研究。新型光電子器件研究。該方面工作主要是開展石墨烯和無機鈣鈦礦等新穎材料與寬帶半導體材料結合研究，構筑新型光電子器件等。承擔國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項、國家自然科學基金重點項目、國家自然科學基金面上項目、國家重點基礎研究發展計劃（973項目）、吉林省重大科技攻關項目、國家自然科學基金青年項目等多個項目。

楊敏

江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術官，分會程序委員會專家

楊敏，江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學家。博士畢業于英國哈德斯菲爾德大學，博士畢業后先后在牛津大學和劍橋大學化學系任博士后研究員。回國前曾就職于英國UCL大學，任終身副教授、博導。2018年加入江蘇南大光電材料股份有限公司。

于彤軍

北京大學教授

于彤軍，北京大學物理學院教授。長期從事 GaN 基寬禁帶半導體發光材料、物理和器件研究，在氮化物納米異質外延生長機理研究、缺陷和應力控制、AlGaN 深紫外發光偏振光學特性的機理和光場調控方面取得一系列成果。2016年起開展AlN單晶PVT設備建設和晶體生長研究，實現了PVT法2英寸AlN晶體生長。

武洪磊

深圳大學物理與光電工程學院副院長

武洪磊，深圳大學物理與光電工程學院副院長。主要從事寬禁帶半導體材料的制備及相關器件研究，設計了國內首臺寬禁帶半導體材料-氮化鋁晶體的專用生長爐，并形成了具有知識產權保護的氮化鋁晶體生長技術體系，同時進行了器件驗證。

張紀才

北京化工大學教授

張紀才，北京化工大學教授。曾先后在以色列理工學院、日本名古屋工業大學、日本三重大學從科研工作，長期從事III族氮化物半導體材料和器件研究。

修向前

南京大學教授

修向前，南京大學教授。曾留學日本電氣通信大學，先后在香港中文大學、美國Grinnell大學等訪問研究。主要從事基于III族氮化物寬帶隙半導體襯底材料與設備以及III族氮化物納米結構材料與器件等的研究和應用。2017年，主持的國家重點研發計劃“第三代半導體核心關鍵裝備”獲得立項。曾主持/參與863計劃、973、國家自然科學基金、國家自然科學基金重大項目、江蘇省自然科學基金等項目。已獲得授權國家發明專利30余項（第一發明人20余項），申請國家發明專利30余項。相關研究成果“III族氮化物半導體極化和缺陷研究”獲得2010年度“高等學校科學研究優秀成果獎（科學技術）”自然科學獎一等獎，本人排名第二。

陳耀

中微公司MOCVD工藝總監

陳耀，中微公司MOCVD工藝技術總監，博士期間主要從事GaN材料的生長與特性研究。2011年至2014年在上海藍光科技有限公司擔任外延經理，主要負責LED產品的研發和量產。2014年加入中微公司，主要從事中微公司MOCVD產品的工藝開發， 參與開發的MOCVD產品包括Prismo D-BLUE®、Prismo A7®、Prismo A8®、Prismo PD5® 和 Prismo UniMax®。

鐘明光 

馬爾文岶納科 亞太區半導體行業經理

鐘明光，馬爾文岶納科 亞太區半導體行業經理。曾任臺灣明志科技大學及臺灣東海大學 X-Ray專題講師。在馬爾文帕納科任職超過20年，一直從事半導體行業分析設備的應用與研究，發表多篇 X-Ray 應用于SiGe材料的分析技術文章，精通X射線衍射及X射線熒光在第一代、第二代及第三代半導體材料領域的分析技術。

司志偉    

中國科學院蘇州納米所助理研究員

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附論壇詳細信息：

會議時間 : 2023年11月27-30日

會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心

主辦單位：

廈門市人民政府

廈門大學

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）

中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）

承辦單位：

廈門市工業和信息化局

廈門市科學技術局

廈門火炬高新區管委會

惠新(廈門)科技創新研究院

北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

論壇主題：低碳智聯· 同芯共贏

程序委員會 ：

程序委員會主席團

主席：

張   榮--中國科學院院士，廈門大學黨委書記、教授

聯合主席：

劉   明--中國科學院院士、中國科學院微電子研究所所研究員

顧   瑛--中國科學院院士、解放軍總醫院教授

江風益--中國科學院院士、南昌大學副校長、教授

李晉閩--中國科學院特聘研究員

張國義--北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授

沈   波--北京大學理學部副主任、教授

徐   科--江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員

邱宇峰--廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原副院長

盛   況--浙江大學電氣工程學院院長、教授

張   波--電子科技大學教授

陳   敬--香港科技大學教授

徐現剛--山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授

吳偉東--加拿大多倫多大學教授

張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席執行官兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授