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光來(lái)精密電子項(xiàng)目月底前主體
結(jié)構(gòu)
就可實(shí)現(xiàn)全部封頂
評(píng)論 ?
2024-05-21 16:55
“芯廬州”集成電路產(chǎn)業(yè)園一期項(xiàng)目主體
結(jié)構(gòu)
封頂
評(píng)論 ?
2024-05-16 09:03
拓荊科技半導(dǎo)體先進(jìn)工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
結(jié)構(gòu)
封頂
評(píng)論 ?
2024-04-30 15:43
CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)魏杰:高速低損耗SOI LIGBT新
結(jié)構(gòu)
與機(jī)理研究
評(píng)論 ?
2024-04-24 17:00
CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學(xué)羅小蓉:《氮化鎵功率器件
結(jié)構(gòu)
、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用
評(píng)論 ?
2024-04-18 09:57
北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件
結(jié)構(gòu)
及其制備方法專(zhuān)利,顯著提升器件的光輸出功率
評(píng)論 ?
2024-04-08 19:10
捷捷微電子“一種帶有超結(jié)
結(jié)構(gòu)
的屏蔽柵IGBT”專(zhuān)利公布
評(píng)論 ?
2024-04-07 13:18
宏微科技取得電動(dòng)汽車(chē)用IGBT或MOSFET版圖
結(jié)構(gòu)
專(zhuān)利,IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小
評(píng)論 ?
2024-03-25 15:00
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)“半導(dǎo)體
結(jié)構(gòu)
及其形成方法、存儲(chǔ)器”專(zhuān)利公布
評(píng)論 ?
2024-03-14 17:29
比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)終端
結(jié)構(gòu)
及其制造方法以及功率器件專(zhuān)利,能夠提高耐壓值
評(píng)論 ?
2024-03-08 15:13
北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專(zhuān)利,提高整個(gè)異質(zhì)集成
結(jié)構(gòu)
的熱導(dǎo)率
評(píng)論 ?
2024-03-06 10:13
晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體
結(jié)構(gòu)
及其制備方法專(zhuān)利
評(píng)論 ?
2024-02-23 09:55
中芯國(guó)際“電容器
結(jié)構(gòu)
及其形成方法”專(zhuān)利公布
評(píng)論 ?
2024-02-22 10:30
華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目主體
結(jié)構(gòu)
順利封頂
評(píng)論 ?
2024-02-02 10:49
長(zhǎng)電科技申請(qǐng)光電芯片互聯(lián)封裝
結(jié)構(gòu)
及其制備方法專(zhuān)利
評(píng)論 ?
2024-01-31 17:57
華南師范大學(xué)王幸福:GaN微納
結(jié)構(gòu)
及其光電子器件研究
GaN微納米器件
紫外探測(cè)器件
評(píng)論 ?
2024-01-15 13:26
光谷筑芯科技產(chǎn)業(yè)園主體
結(jié)構(gòu)
提前封頂
評(píng)論 ?
2024-01-09 18:06
比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體器件終端
結(jié)構(gòu)
、制備方法及半導(dǎo)體器件專(zhuān)利
評(píng)論 ?
2024-01-09 10:21
北京大學(xué)申請(qǐng)半導(dǎo)體器件
結(jié)構(gòu)
專(zhuān)利
評(píng)論 ?
2023-12-27 16:53
大阪公立大學(xué)梁劍波:增強(qiáng) GaN/3C-SiC/金剛石
結(jié)構(gòu)
的散熱性能,以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用
評(píng)論 ?
2023-12-22 16:31
IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安:具復(fù)合柵極和階梯
結(jié)構(gòu)
的新型GaN垂直晶體管研究
評(píng)論 ?
2023-12-18 10:11
IFWS 2023│氮矽科技朱仁強(qiáng):增強(qiáng)型功率氮化鎵器件
結(jié)構(gòu)
設(shè)計(jì)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2023-12-08 15:49
IFWS 2023│高通量方法輔助篩選和預(yù)測(cè)半導(dǎo)體界面
結(jié)構(gòu)
——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例
評(píng)論 ?
2023-12-05 17:20
IFWS 2023│ 中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六研究所孫杰:高導(dǎo)熱GaN/金剛石
結(jié)構(gòu)
制備及器件性能
評(píng)論 ?
2023-12-05 16:53
IFWS 2023│廈門(mén)大學(xué)徐翔宇:氧化鎵缺陷研究,合金工程電子
結(jié)構(gòu)
調(diào)制以及日盲光電探測(cè)器的開(kāi)發(fā)
評(píng)論 ?
2023-12-05 16:32
IFWS 2023│中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所黃潤(rùn)華:750V SiC MOSFET元胞
結(jié)構(gòu)
對(duì)器件特性的影響研究
評(píng)論 ?
2023-11-29 19:43
SSLCHINA2023│北京大學(xué)教授陳志忠:利用溝槽
結(jié)構(gòu)
生長(zhǎng)高效率InGaN紅光
評(píng)論 ?
2023-11-27 22:08
旭光電子:氮化鋁
結(jié)構(gòu)
件已應(yīng)用于半導(dǎo)體光刻工藝等 且實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售
評(píng)論 ?
2023-11-08 15:59
杭州寶鼎乾芯6英寸半導(dǎo)體項(xiàng)目主體
結(jié)構(gòu)
全部完成
評(píng)論 ?
2023-11-07 20:15
潤(rùn)鵬半導(dǎo)體12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目主體
結(jié)構(gòu)
封頂
評(píng)論 ?
2023-10-12 17:02
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